Fabricante: Inchange Semiconductor (ISC), Toshiba, también por Savantic, Thomson, Quanzhou Jinmei
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor PNP para amplificación de potencia y driver
Subcategoría: Power Amplifier / Driver Stage Transistor
Serie: 2SA1306 / 2SC3298
Alias de parte: 2SA1306A (180V), 2SA1306B (200V), 2SA1306BO (versión Toshiba)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-220F (TO-220F-3, totalmente aislado)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -160V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -160V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -1.5A
Corriente de base máxima (Ib): -0.15A
Potencia de disipación máxima (Pc): 20W
Resistencia térmica unión-case (Rthjc): No especificada
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1.5V máx
Ganancia de corriente (hFE): 70 mín
Frecuencia de transición (ft): 100MHz
Capacitancia de salida (Cob): 30pF
Corriente de fuga colector-base (Icbo): No especificada
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de potencia, etapas driver, aplicaciones de conmutación, control de motores AC-DC, reguladores de alternador
País de origen: CN (Inchange, Savantic, Jinmei), JP (Toshiba original)
Peso unitario: 2.0g (aprox TO-220F)
Notas importantes:
• El 2SA1306 está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificación de potencia y como driver en etapas de potencia, con buena linealidad de ganancia hFE.
• El complementario NPN directo es el 2SC3298 (y sus versiones 2SC3298A/B), formando un par ideal para amplificadores push-pull.
• Existen dos variantes principales dentro de la familia:
• 2SA1306A: Vceo = -180V.
• 2SA1306B: Vceo = -200V.
• La versión estándar (sin sufijo) opera a -160V.
• Configuración de pines en TO-220F (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Base, Pin 2 = Colector, Pin 3 = Emisor.
• El encapsulado TO-220F es totalmente aislado (Full Pack), eliminando la necesidad de aislante térmico adicional entre el componente y el disipador.
• Este transistor está disponible en versiones de distintos fabricantes. Se recomienda verificar la hoja de datos del fabricante específico para la versión utilizada.
• El fabricante ISC (Inchange Semiconductor) tiene su sede en China y es uno de los principales productores actuales de este componente.
• La potencia máxima de disipación es de 20W, requiriendo un disipador térmico adecuado para aplicaciones cercanas al límite.
• Aplicaciones típicas: amplificadores de potencia de audio, circuitos de control de motores AC-DC, reguladores de alternador, sistemas de encendido electrónico.
• Estado del producto: Activo, disponible en múltiples fabricantes asiáticos (ISC, Savantic, Jinmei) como stock remanente. La versión original de Toshiba está descontinuada, pero el componente permanece disponible a través de fabricantes alternativos.
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 1,5A
- Polaridad del Transistor
- PNP
- Potencia de Trabajo
- 20W
- Tipo de transistor
- Bipolar
- Encapsulado
- TO-220F
- Frecuencia de Trabajo
- 100MHz
- Número de patillas
- 3
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 160V
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