Transistor HGTG30N60C3D IGBT-N 600V 63A 208W TO-247

Transistor HGTG30N60C3D IGBT-N 600V 63A 208W TO-247

TRHGTG30N60C3D
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Transistor HGTG30N60C3D IGBT-N 600V 63A 208W TO-247 (G30N60C3D) con diodo de protección

 
Fabricante: onsemi 
Categoría de producto: IGBT 
Empaquetado / Estuche: TO-247-3 
Estilo de montaje: Through Hole 
Configuración: Single 
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 600V 
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.5V 
Voltaje puerta-emisor máximo: -20V, 20V 
Corriente continua del colector a 25ºC: 63A 
Pd (disipación de potencia): 208W 
Temperatura operativa mínima: -40ºC 
Temperatura operativa máxima: +150ºC 
Serie: HGTG30N60C3D 
Marca: onsemi / Fairchild 
Corriente continua del colector: 63A 
Corriente continua del colector Ic Máx.: 63A 
Corriente de fuga puerta-emisor: +/-100nA 
Tipo de producto: IGBT Transistors 
Subcategoría: IGBTs 
Altura: 20.82mm 
Longitud: 15.87mm 
Anchura: 4.82 mm 
Alias de parte #: HGTG30N60C3D_NL 
Peso unitario: 6,390gr
Descatalogado: Ultimas unidades dsiponibles
Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
63A
Polaridad del Transistor
Canal N
Potencia de Trabajo
208W
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Tipo de transistor
IGBT
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
600V
Encapsulado
TO-247
Número de patillas
3

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