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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247AC-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión drenador-fuente): 60V
Id (Corriente drenaje): 195A
Rds encendido: 2.5mO
Vgs (Tensión compuerta-fuente): ±20V
Vgs th (Umbral): 4V
Qg (Carga compuerta): 200nC
Temperatura operativa: -55°C a +175°C
Pd (Disipación potencia): 375W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Tiempo de caída: 189ns
Tiempo de establecimiento: 182ns
Tiempo retraso apagado: 118ns
Tiempo retardo conexión: 16ns
Subcategoría: Transistors
Alias parte #: IRFP3006PBFXKMA1 SP005732687
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247AC-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión drenador-fuente): 60V
Id (Corriente drenaje): 195A
Rds encendido: 2.5mO
Vgs (Tensión compuerta-fuente): ±20V
Vgs th (Umbral): 4V
Qg (Carga compuerta): 200nC
Temperatura operativa: -55°C a +175°C
Pd (Disipación potencia): 375W
Modo canal: Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Tiempo de caída: 189ns
Tiempo de establecimiento: 182ns
Tiempo retraso apagado: 118ns
Tiempo retardo conexión: 16ns
Subcategoría: Transistors
Alias parte #: IRFP3006PBFXKMA1 SP005732687