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Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600V
Id: corriente de drenaje continuo: 27A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 220mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -30V, +30V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3V
Qg (carga de compuertas): 180nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 500W
Modo canal: Enhancement
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 38ns
Transconductancia delantera: mín.: 14S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 110ns
Serie: IRFP
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 43ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 27ns
Altura: 20.82mm
Longitud: 15.87mm
Anchura: 5.31mm
Peso unitario: 6gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600V
Id: corriente de drenaje continuo: 27A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 220mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -30V, +30V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3V
Qg (carga de compuertas): 180nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 500W
Modo canal: Enhancement
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 38ns
Transconductancia delantera: mín.: 14S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 110ns
Serie: IRFP
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 43ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 27ns
Altura: 20.82mm
Longitud: 15.87mm
Anchura: 5.31mm
Peso unitario: 6gr