Fabricante: ON Semiconductor, STMicroelectronics, Multicomp, Microsemi, NTE Electronics
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de potencia para conmutación y amplificación
Subcategoría: Power Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N3055G (versión Pb-Free), JAN2N3055 (versión militar)
Tipo: Silicon NPN Epitaxial-Base Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3 (TO-204AA, metal can de 2 pines más carcasa como colector)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 60V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 100V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 7V
Corriente de colector máxima (Ic): 15A
Corriente de base máxima (Ib): 7A
Potencia de disipación máxima (Pc): 115W (Tc=25°C), derate 0.657W/°C
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1.1V máx @ Ic=4A, Ib=400mA
Ganancia de corriente (hFE): 20 a 70 @ Ic=4A, Vce=4V (mínimo 20, típico 45)
Frecuencia de transición (ft): 3MHz
Corriente de fuga colector (Icbo): 0.7mA máx @ Vcb=60V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Amplificadores de audio de alta potencia (clase AB), fuentes de alimentación lineales, reguladores de tensión serie (ej. con LM723), circuitos de conmutación de alta corriente, osciladores de baja frecuencia, drivers de motores DC
País de origen: US, CN, PH, MX (varía según fabricante)
Peso unitario: 4.5g a 12g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N3055 es uno de los transistores de potencia más icónicos y longevos de la historia, introducido por RCA en 1964 y todavía en producción activa
• El complementario PNP para aplicaciones push-pull es el MJ2955, formando el par complementario más utilizado en amplificadores de audio de alta fidelidad
• Existen múltiples encapsulados alternativos con características eléctricas similares pero diferente disipación:
• TIP3055 (TO-218/TO-247) y TIP35 (TO-247) para montaje más compacto
• MJE3055 (TO-220) versión de menor potencia (75W)
• BD181 versión europea equivalente comercializada por Philips
• El encapsulado TO-3 es metálico y requiere un disipador térmico adecuado debido a la alta disipación de potencia (hasta 115W)
• Configuración de pines en TO-3: Base (pin 1), Emisor (pin 2), Colector (conectado a la carcasa metálica)
• La tecnología original "Hometaxial Base" utilizada en las primeras versiones ofrecía un área de operación segura (SOA) muy robusta, lo que lo hizo especialmente popular en amplificadores de audio
• Aunque es un componente clásico, sigue siendo ampliamente utilizado en proyectos de hobby, reparaciones de equipos vintage y aplicaciones industriales donde se requiere robustez y disponibilidad garantizada
• Para aplicaciones de alta frecuencia o conmutación rápida, se recomienda considerar alternativas más modernas como MOSFETs de potencia, ya que su frecuencia de transición es limitada (3MHz)
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 15A
- Polaridad del Transistor
- NPN
- Potencia de Trabajo
- 115W
- Tipo de transistor
- Bipolar
- Encapsulado
- TO-3
- Número de patillas
- 2
- Tipo de montaje
- Panel
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 60V
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