Transistor 2SA1226 PNP 40V 30mA 200mW SOT-23

Transistor 2SA1226 PNP 40V 30mA 200mW SOT-23

TR2SA1226
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Transistor 2SA1226 PNP 40V 30mA 200mW 400MHz SOT-23. Equivalentes: BF536, BF550, BF568, BF569, BF660, 2SA1022.
 

Fabricante: NEC / Renesas Electronics
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor PNP de alta frecuencia
Subcategoría: Small Signal RF Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2SA1226-T1B-A, 2SA1226-T2BE4, 2SA1226E2-T1B-A, 2SA1226E4-T1B
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Transistor
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulado: SC-59 (SOT-23, 3 pines)

Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -40V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -40V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -30mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 200mW
Capacitancia de salida (Cob): 2pF
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 0.3V máx @ Ic=10mA, Ib=1mA
Ganancia de corriente (hFE): 40 a 90 (según versión) @ Ic=10mA, Vce=6V
Frecuencia de transición (ft): 400MHz
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de alta frecuencia (HF), pequeña señal, etapas de RF
País de origen: JP (Japón)
Peso unitario: 0.03g

Notas importantes:

• Este transistor está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificación de alta frecuencia (RF).
• Configuración de pines en SOT-23 (vista superior): Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Colector, Pin 3 = Base.
• Existen múltiples versiones con pequeñas variaciones en la ganancia hFE. La versión 2SA1226-T2BE4 y 2SA1226E4-T1B tienen hFE mínimo de 90 , mientras que la versión 2SA1226-T2B-A tiene hFE mínimo de 40 .
• Las versiones que terminan en "E4" no son compatibles con RoHS porque sus terminales contienen plomo (Tin/Lead) .
• Las versiones "E2" son compatibles con RoHS y utilizan acabado de estaño-bismuto (Tin/Bismuth) .
• Se utiliza comúnmente en equipos de audio y radio de alta frecuencia debido a su frecuencia de transición de 400MHz.
• Es importante tener en cuenta que NEC Electronics se integró en Renesas Electronics en 2010; los componentes actuales se comercializan bajo la marca Renesas.
• El fabricante Advanced Semiconductor (Taiwán) aún produce versiones equivalentes bajo pedido.
• Para aplicaciones generales, es un excelente reemplazo para transistores de señal pequeña PNP que requieren alta velocidad (400MHz) pero baja corriente (30mA). Si se necesita más corriente, se pueden considerar el 2SA1022 o el BF550.

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
30mA
Polaridad del Transistor
PNP
Potencia de Trabajo
0,2W (200mW)
Tipo de transistor
Bipolar
Encapsulado
SOT-23
Frecuencia de Trabajo
400MHz
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Superficial
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
40V

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