Transistor 2SA1264N PNP 120V 8A 80W TO-3P

Transistor 2SA1264N PNP 120V 8A 80W TO-3P

TR2SA1264
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3,75 €
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Transistor 2SA1264N PNP 120V 8A 80W 30MHz TO-3P. Equivalentes: TIP32C, MJE15033 . Complementario: 2SC3181N (NPN).
 

Fabricante: Toshiba (original), también fabricado por Quanzhou Jinmei (JMNIC), Inchange, Savantic
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor PNP para amplificación y conmutación
Subcategoría: Power Transistor
Serie: -
Alias de parte: A1264N (marcado en el encapsulado)
Tipo: Silicon PNP Power Transistor
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3P (TO-3P-3L, TO-247 similar)

Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -120V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -120V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -8A
Potencia de disipación máxima (Pc): 80W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 3V máx @ Ic=-4A, Ib=-0.4A
Ganancia de corriente (hFE): 55 a 160 según clasificación @ Ic=-1A, Vce=-5V
Frecuencia de transición (ft): 30MHz
Capacitancia de salida (Cob): 450pF
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de potencia de audio, conmutación de alta corriente, fuentes de alimentación, reguladores de tensión
País de origen: JP (Toshiba original), CN (fabricantes alternativos)
Peso unitario: 1.0g (chipdip), 100g según listado comercial (probablemente con empaque)

Clasificación por ganancia (hFE):

• 2SA1264N-R: hFE = 55 a 110
• 2SA1264N-O: hFE = 55 a 160

Notas importantes:

• El 2SA1264N es un transistor PNP de potencia fabricado inicialmente por Toshiba, diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación de alta corriente.
• El encapsulado TO-3P permite la fijación con disipador térmico, requiriendo un disipador adecuado para alcanzar la potencia máxima de 80W.
• Configuración de pines en TO-3P: Pin 1 = Base, Pin 2 = Colector, Pin 3 = Emisor.
• El marcado en el encapsulado suele ser "A1264N" (sin el prefijo "2S").
• El complementario NPN directo es el 2SC3181N.
• El fabricante Quanzhou Jinmei (JMNIC) y Savantic son productores alternativos actuales de este componente.
• Para aplicaciones de conmutación, se recomienda manejar la corriente de base adecuadamente (Vce(sat) especificado a 400mA de corriente de base).
• Algunos fabricantes alternativos especifican paquetes ligeramente diferentes: JMNIC y Savantic utilizan TO-3P, mientras que Inchange especifica TO-220 (que es un encapsulado diferente).
• Se recomienda revisar físicamente el componente y confirmar el fabricante antes de su uso.
• Estado del producto: Descontinuado por Toshiba (Original) pero aún disponible a través de fabricantes alternativos.

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
8A
Polaridad del Transistor
PNP
Potencia de Trabajo
80W
Tipo de transistor
Bipolar
Encapsulado
TO-3P
Frecuencia de Trabajo
30MHz
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
120V

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