Fabricante: SPTECH, New Jersey Semiconductor, Inchange (ISC), SAVANTIC, Toshiba (original)
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor PNP de potencia para audio
Subcategoría: High Power Audio Amplifier Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2SA1265-R, 2SA1265-O
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3PI / TO-3P / TO-3PN
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -140V
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -140V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -10A
Potencia de disipación máxima (Pc): 100W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 2V máx @ Ic=-7A, Ib=-0.7A
Ganancia de corriente (hFE): 55 a 160
Frecuencia de transición (ft): 30MHz
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 5µA máx @ Vcb=-140V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de potencia de audio de alta fidelidad (70W-100W), etapas de salida de amplificadores, aplicaciones de conmutación de alta corriente
País de origen: CN, US, JP (varía según fabricante)
Peso unitario: 6.5g a 6.56g
Notas importantes:
• El 2SA1265 es un transistor PNP de potencia diseñado específicamente para amplificadores de audio de alta fidelidad, recomendado para etapas de salida en amplificadores de hasta 70W-100W .
• El complementario NPN directo es el 2SC3182, formando un par ideal para amplificadores push-pull de potencia en configuraciones de salida complementarias .
• Configuración de pines en TO-3PI (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Base, Pin 2 = Colector, Pin 3 = Emisor .
• El encapsulado TO-3PI (también llamado TO-3P, TO-3PN o TO-247) es de alta disipación con pestaña metálica, requiere un disipador térmico adecuado para alcanzar los 100W de disipación .
• Es importante destacar que la variante "2SA1265N" de algunos fabricantes (Inchange, SAVANTIC) tiene características similares pero puede presentar diferencias mecánicas o térmicas .
• La tecnología de fabricación asegura baja tensión de saturación Vce(sat)=2V a 7A y excelente linealidad de ganancia hFE, lo que garantiza baja distorsión en aplicaciones de audio de alta calidad .
• Este modelo es frecuentemente utilizado como sustituto o complemento de los populares transistores de audio de la serie 2SA1302/2SC3281 y 2SA1943/2SC5200 en etapas de amplificación de alta potencia.
• Estado del producto: Activo en fabricantes como SPTECH y New Jersey Semiconductor . La producción original de Toshiba ha sido descontinuada pero el componente permanece ampliamente disponible a través de fabricantes alternativos .
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