Transistor IRF3710 MOSFET-N 100V 57A 200W TO-220

Transistor IRF3710pbf MOSFET-N 100V 57A 200W TO-220

TRIRF3710
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Transistor IRF3710 MOSFET Canal-N 100V 57A 200W TO-220

 

Fabricante: Infineon 
Categoría de producto: MOSFET 
Estilo de montaje: Through Hole 
Empaquetado / Estuche: TO-220-3 
Polaridad de transistor: N-Channel 
Número de canales: 1 Channel 
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 100V 
Id: corriente de drenaje continuo: 57A 
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 23mOhms 
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V 
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4V 
Qg (carga de compuertas): 86.7nC 
Temperatura operativa mínima: -55ºC 
Temperatura operativa máxima: +175ºC 
Pd (disipación de potencia): 200W 
Modo canal: Enhancement 
Marca: Infineon Technologies 
Configuración: Single 
Tipo de producto: MOSFETs 
Subcategoría: Transistors 
Tipo de transistor: 1 N-Channel 
Altura: 15.65mm 
Longitud: 10mm 
Anchura: 4.4mm 
Peso unitario: 2gr

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
57A
Polaridad del Transistor
Canal N
Potencia de Trabajo
200W
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Tipo de transistor
MOSFET
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
100V
Encapsulado
TO-220
Número de patillas
3

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