Transistor IRF3710S MOSFET-N 100V 57A 200W TO-252

Fabricante: Infineon 
Categoría de producto: MOSFET 
Estilo de montaje: SMD/SMT 
Empaquetado / Estuche: D2PAK-3 (TO-263-3) 
Polaridad de transistor: N-Channel 
Número de canales: 1 Channel 
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 100V 
Id: corriente de drenaje continuo: 57A 
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 23mOhms 
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V 
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4V 
Qg (carga de compuertas): 130nC 
Temperatura operativa mínima: -55ºC 
Temperatura operativa máxima: +175ºC 
Pd (disipación de potencia): 200W 
Modo canal: Enhancement 
Marca: Infineon Technologies 
Configuración: Single 
Tiempo de caída: 47ns 
Transconductancia delantera: mín.: 32S 
Tipo de producto: MOSFETs 
Tiempo de establecimiento: 58ns 
Subcategoría: Transistors 
Tipo de transistor: 1 N-Channel 
Tiempo típico de retraso de apagado: 45ns 
Tiempo de retardo de conexión típico: 12ns 
Altura: 2.3mm 
Longitud: 6.5mm 
Anchura: 6.22mm 
Peso unitario: 330mg