Fabricante: Infineon Technologies (originalmente International Rectifier)
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: MOSFET de potencia N-Channel HEXFET
Subcategoría: Logic-Level Gate Drive MOSFET
Serie: HEXFET
Alias de parte: IRLR2905PBF
Tipo: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Configuración: Single with built-in diode
Tecnología: Silicio (Metal-Oxide Semiconductor)
Montaje: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulado: DPAK (TO-252-3, TO-252AA)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 55V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±16V
Corriente de drenador máxima (Id): 42A (Tc=25°C), 30A (Tc=100°C)
Corriente de drenador pulsada (Idm): 160A
Potencia de disipación máxima (Pd): 110W (Tc=25°C)
Resistencia térmica unión-case (Rthjc): 1.4°C/W máx
Resistencia térmica unión-ambiente (Rthja): 50°C/W (PCB montado en 1" cuadrado)
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 27mΩ máx @ Vgs=10V, Id=25A
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 2V máx @ Id=250µA
Transconductancia directa (gfs): 19S típica
Capacitancia de entrada (Ciss): 1700pF @ Vds=25V
Capacitancia de salida (Coss): 490pF @ Vds=25V
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 150pF @ Vds=25V
Carga total de puerta (Qg): 48nC @ Vgs=5V
Carga puerta-fuente (Qgs): 9.5nC
Carga puerta-drenador (Qgd): 20nC
Corriente de fuga drenador-fuente (Idss): 25µA máx @ Vds=55V
Corriente de fuga puerta (Igss): ±100nA máx @ Vgs=±16V
Energía de avalancha (Eas): 210mJ
Corriente de avalancha (Iar): 25A
Tiempo de encendido (ton): 21ns típico
Tiempo de apagado (toff): 51ns típico
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +175°C
Aplicación principal: Conversión DC-DC, reguladores de tensión, control de motores, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), aplicaciones de automoción, sistemas de alimentación de alta eficiencia
País de origen: MY (Malasia), CN, según lote de fabricación
Peso unitario: 0.3g a 0.4g (aprox)
Clasificación y marcado:
• El sufijo "PBF" indica versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS
• El marcado en el encapsulado incluye código de fecha de producción (YWW)
• La versión en cinta y carrete (tape & reel) se denomina IRLR2905TRPBF
• La versión con patillas rectas para montaje through-hole es IRLU2905 (I-Pak TO-251)
• Existe versión calificada para automoción bajo la denominación AUIRLR2905
Notas importantes:
• El IRLR2905PBF es un MOSFET de potencia N-Channel de la quinta generación HEXFET de International Rectifier (ahora Infineon), diseñado para aplicaciones de alta eficiencia con control por nivel lógico (Logic-Level Gate Drive)
• La característica "Logic-Level" significa que puede ser activado directamente por circuitos de control de 5V o 3.3V (Vgs(th) máximo de 2V), eliminando la necesidad de drivers de puerta adicionales
• El encapsulado DPAK (TO-252) está diseñado para montaje superficial, permitiendo soldadura por reflow, infrarrojos o vapor
• Configuración de pines en DPAK (vista superior): Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Drenador (Drain - conectado a la pestaña metálica), Pin 3 = Fuente (Source)
• La resistencia en conducción extremadamente baja (27mΩ) minimiza las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia energética
• El dispositivo está clasificado para avalancha (100% UIS Tested), lo que garantiza robustez frente a sobrecargas inductivas
• Incluye un diodo de cuerpo intrínseco con capacidad de recuperación de alta velocidad (dv/dt > 5.0 V/ns)
• Aplicaciones típicas:
• Convertidores DC-DC (Buck, Boost, SEPIC)
• Reguladores de tensión síncronos y asíncronos
• Control de motores DC y BLDC de baja tensión
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
• Electrónica de automoción (con la versión AUIRLR2905)
• Consideraciones térmicas: La potencia máxima de disipación de 110W se alcanza con la temperatura de case (Tc) a 25°C, requiriendo un disipador térmico adecuado para aplicaciones de alta potencia
• Precaución: El dispositivo es sensible a descargas electrostáticas (ESD). Se recomienda utilizar prácticas adecuadas de manejo durante la manipulación y soldadura
• Estado del producto: El ciclo de vida del componente aparece como "Obsolete" en algunas fuentes , pero sigue ampliamente disponible en distribuidores y puede encontrarse como "Active" en Infineon para ciertas versiones
• El producto es compatible con RoHS y libre de plomo (Pb-Free) en su versión "PBF"
