Fabricante: onsemi, STMicroelectronics, Philips (NXP), Fairchild, Vishay, Microchip, Diodes Inc.
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET)
Tipo de producto: MOSFET de potencia de pequeña señal
Subcategoría: MOSFET de canal N de modo de enriquecimiento (Enhancement Mode)
Serie: -
Alias de parte: 2N7000G (versión libre de plomo)
Tipo: N-Channel Enhancement Mode DMOS / TrenchMOS™
Configuración: Single con diodo de cuerpo integrado
Tecnología: Silicio (DMOS vertical)
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (SOT54, TO-226AA, plástico de 3 pines)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 60V
Tensión drenador-puerta máxima (Vdgr): 60V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±20V a ±30V (según fabricante)
Corriente de drenador máxima (Id): 200mA continua (500mA en pulso)
Potencia de disipación máxima (Pd): 350mW a 400mW (1W en algunas versiones ST)
Resistencia térmica unión-ambiente (Rthja): 150 K/W a 312.5°C/W según fabricante
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 5O máx @ Vgs=10V, Id=500mA
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 0.8V a 3V (típico 2.1V)
Corriente de fuga puerta (Igss): 100nA máx @ Vgs=20V
Ganancia de transconductancia (gfs): 600mS típico
Capacitancia de entrada (Ciss): 40pF a 60pF @ Vds=25V
Capacitancia de salida (Coss): 25pF típico
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 5pF típico
Tiempo de encendido (ton): 10ns típico
Tiempo de apagado (toff): 10ns típico
Carga total de puerta (Qg): 2nC @ Vgs=5V
Corriente de fuga drenador-fuente (Idss): 1µA máx @ Vds=48V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Conmutación de baja potencia, driver de relés, control de LEDs, nivelador lógico (level shifter), interfaz entre microcontroladores (3.3V/5V) y cargas de hasta 60V, driver de compuerta para MOSFETs de mayor potencia
País de origen: US, CN, MY, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N7000 es un MOSFET de canal N de modo de enriquecimiento (Enhancement Mode) considerado un componente estándar de la industria, ampliamente utilizado en proyectos de prototipado por su compatibilidad con niveles lógicos (3.3V/5V) y su encapsulado TO-92 fácil de soldar
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Fuente (Source), Pin 2 = Puerta (Gate), Pin 3 = Drenador (Drain)
• Precaución: La corriente máxima continua es de 200mA. Para corrientes superiores, se debe considerar el BS170 (500mA) o el IRFZ44N
• Precaución crítica: El BS170 es eléctricamente similar pero tiene el pinout invertido (Drenador-Puerta-Fuente). No son intercambiables directamente sin adaptar la disposición de pines en la PCB
• Para aplicaciones con cargas inductivas (motores, relés, solenoides), es obligatorio utilizar un diodo de libre circulación (flyback diode) en paralelo con la carga para proteger el MOSFET
• Se recomienda utilizar una resistencia de 10kO entre la puerta y masa (pull-down) para evitar que la compuerta quede flotando y garantizar que el MOSFET permanezca apagado durante el arranque
• Estado del producto: Activo (Active) en la mayoría de los fabricantes, aunque algunas referencias específicas pueden estar obsoletas
• La versión SMD (montaje superficial) equivalente es el 2N7002 en encapsulado SOT-23
• El 2N7000 es conocido como el "FETlington" por su comportamiento similar a un transistor Darlington, ideal para aplicaciones de conmutación de propósito general
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