Transistor 2N7002 MOSFET-N 60V 300mA SOT-23

Transistor 2N7002 MOSFET-N 60V 300mA 350mW SOT-23

TR2N7002
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Transistor 2N7002 MOSFET-N 60V 300mA 350mW SOT-23. Equivalentes: 2N7000 (TO-92, 200mA), BS170 (TO-92, 500mA), BSS138 (50V), MMBT7002. Complementario: No especificado (sugerido BS250 para P-Channel).
 

Fabricante: Diodes Incorporated, Nexperia, onsemi, Vishay, NXP
Categoría: Transistores de efecto de campo (FET) de pequeña señal
Tipo de producto: MOSFET de potencia de pequeña señal
Subcategoría: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Serie: 2N7000 / 2N7002 Family
Alias de parte: 2N7002-7-F (Diodes), 2N7002Q (Automotive), NDS7002A, 2N7002PW
Tipo: N-Channel Enhancement Mode DMOS / Trench MOSFET
Configuración: Single con diodo de cuerpo integrado
Tecnología: Silicio (DMOS vertical / Trench)
Montaje: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulado: SOT-23 (TO-236AB, plástico de 3 pines)
Tensión drenador-fuente máxima (Vds): 60V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): ±20V (máximo ±40V en pulso)
Corriente de drenador máxima (Id): 115mA a 300mA según fabricante (Diodes: 210mA, Nexperia: 300mA)
Corriente de drenador pulsada (Idm): 800mA
Potencia de disipación máxima (Pd): 350mW a 540mW según montaje
Resistencia térmica unión-ambiente (Rthja): 241°C/W a 348°C/W según montaje
Resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on)): 3.2O a 7.5O @ Vgs=5-10V
Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 1.0V a 3.0V (típico 2.1V)
Capacitancia de entrada (Ciss): 22pF a 50pF @ Vds=25V
Capacitancia de salida (Coss): 11pF a 25pF
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 2pF a 5pF
Carga total de puerta (Qg): 1nC a 2.2nC
Corriente de fuga drenador-fuente (Idss): 1µA máx @ Vds=60V
Corriente de fuga puerta (Igss): ±10nA máx @ Vgs=±20V
Tiempo de encendido (ton): 5.8ns típico
Tiempo de apagado (toff): 13.2ns típico
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Conmutación de pequeña señal, nivelador lógico (level shifter), driver de relés y LEDs, interfaz entre microcontroladores (3.3V/5V) y cargas, driver de compuerta para MOSFETs de mayor potencia, amplificadores de RF de baja potencia, conversores DC-DC de baja potencia
País de origen: CN, MY, TH (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.008g (aprox)

Notas importantes:
• El 2N7002 es la versión SMD (SOT-23) del popular 2N7000 (TO-92), compartiendo características eléctricas muy similares pero con menor disipación térmica debido a su tamaño compacto
• Configuración de pines en SOT-23 (vista superior): Pin 1 = Fuente (Source), Pin 2 = Puerta (Gate), Pin 3 = Drenador (Drain)
• Precaución: La corriente máxima varía según fabricante y condiciones de montaje:
• Diodes Incorporated: 210mA (con buena disipación) / 170mA (montaje mínimo)
• Nexperia: 300mA
• Otras fuentes: 115mA a 150mA
• Se recomienda verificar la hoja de datos del fabricante específico para la versión utilizada
• El BS170 es el equivalente en encapsulado TO-92 con mayor capacidad de corriente (500mA), pero tiene el pinout invertido (Drenador-Puerta-Fuente), por lo que no es directamente intercambiable sin adaptar la disposición de pines en la PCB
• El 2N7000 es el equivalente en TO-92 con características eléctricas similares (200mA, 400mW)
• Aplicaciones típicas:
• Niveladores lógicos (level shifters) para comunicación entre circuitos de 3.3V y 5V o de 5V a 12V
• Driver de relés y cargas inductivas de baja potencia (requiere diodo de libre circulación)
• Interfaz entre microcontroladores y cargas de hasta 60V
• Conmutación de pequeña señal en equipos portátiles y alimentados por batería
• Ventajas destacadas:
• Baja tensión umbral (Vgs(th) típico 2.1V), compatible con lógica 3.3V y 5V
• Alta velocidad de conmutación (tiempos de encendido/apagado <15ns)
• Baja capacitancia de entrada (Ciss <50pF), ideal para accionamiento directo desde microcontroladores
• Versiones especiales:
• 2N7002Q: Versión calificada para aplicaciones automotrices (AEC-Q101)
• 2N7002PW: Versión en encapsulado SOT-323 (más compacto)
• NDS7002A: Versión de onsemi con características mejoradas
• Estado del producto: Activo (Active) en la mayoría de los fabricantes, ampliamente disponible en distribuidores como DigiKey, Mouser y LCSC
• El dispositivo cumple con RoHS y es libre de plomo (Lead Free) en sus versiones actuales

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
300mA
Polaridad del Transistor
Canal N
Tipo de transistor
MOSFET
Encapsulado
SOT-23
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Superficial
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
60V

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