Fabricante: Multicomp Pro, Semelab, Microchip Technology, STMicroelectronics, onsemi, Central Semiconductor
Categoria: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de conmutacion de alta velocidad
Subcategoria: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N2369A (version mejorada)
Tipo: Silicon NPN Planar Epitaxial
Configuracion: Single
Tecnologia: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-18 (TO-206AA, metal can de 3 pines)
Tension colector-base maxima (Vcbo): 40V
Tension colector-emisor maxima (Vceo): 15V
Tension emisor-base maxima (Vebo): 5V
Corriente de colector maxima (Ic): 200mA
Corriente de colector pico (Icm): 300mA (pulso)
Potencia de disipacion maxima (Pc): 360mW
Tension de saturacion colector-emisor (Vce(sat)): 0.2V max @ Ic=10mA, Ib=1mA (0.2V @ 10mA/1mA)
Ganancia de corriente (hFE): 40 a 120 @ Ic=10mA, Vce=1V
Frecuencia de transicion (ft): 500MHz (min)
Tiempo de encendido (ton): 12ns
Tiempo de apagado (toff): 18ns
Corriente de fuga colector (Icbo): 10nA max @ Vcb=40V
Capacitancia de salida (Cob): 4pF max
Temperatura de operacion (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicacion principal: Conmutacion de alta velocidad, amplificadores VHF, FM transmisores y radios, aplicaciones RF, conmutacion de cargas de baja potencia
Pais de origen: US, CN, IN (varia segun fabricante)
Peso unitario: 0.4g a 0.5g (aprox)
Nota importante: Existen dos versiones del componente:
• 2N2369: Vceo = 15V, especificacion original
• 2N2369A: Vceo = 15V (similar), version mejorada con parametros mas ajustados
Algunos fabricantes como Semelab especifican Vceo = 40V en su hoja resumida, pero la mayoria de los datasheets confirman 15V como el valor maximo garantizado
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