Transistor 2N3904G NPN 40V 200mA 625mW TO-92

Transistor 2N3904G NPN 40V 200mA 625mW TO-92

TR2N3904
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Transistor 2N3904G NPN 40V 200mA 625mW 300MHz TO-92. Equivalentes: 2N3904, 2N2222, BC546, BC547, BC548, PN2222, MPS3904, KN3904, NTE123AP. Complementario: 2N3906 (PNP).
 

Fabricante: onsemi (ON Semiconductor)
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de propósito general
Subcategoría: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N3904G (versión libre de plomo / RoHS)
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-226AA, plástico de 3 pines)
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 60V
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 40V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 6V
Corriente de colector máxima (Ic): 200mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 625mW (Tc=25°C)
Resistencia térmica unión-ambiente (Rthja): 200°C/W típico
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 300mV máx @ Ic=50mA, Ib=5mA
Tensión base-emisor en conducción (Vbe(on)): 0.65V típico @ Ic=10mA, Vce=1V
Ganancia de corriente (hFE): 100 a 300 @ Ic=10mA, Vce=1V (mínimo 100)
Frecuencia de transición (ft): 300MHz
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 50nA máx @ Vcb=50V
Capacitancia de entrada (Cibo): 8pF máx @ Vcb=5V
Tiempo de encendido (ton): 70ns máx
Tiempo de apagado (toff): 250ns máx
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificación de propósito general, conmutación de baja potencia, preamplificadores de audio, circuitos de control, aplicaciones de bajo ruido
País de origen: US, CN, MY, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)

Notas importantes:
• El sufijo "G" en 2N3904G indica la versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS, a diferencia del 2N3904 estándar
• El complementario PNP de este transistor es el 2N3906, formando un par ampliamente utilizado en circuitos push-pull y amplificadores diferenciales
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector
• La potencia máxima de disipación es de 625mW a 25°C de temperatura ambiente, con un factor de degradación de 5.0mW/°C por encima de esa temperatura
• La corriente de fuga extremadamente baja (50nA) lo hace adecuado para circuitos de precisión y aplicaciones con requisitos estrictos de consumo en reposo
• Este transistor es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad gracias a sus tiempos de encendido/apagado rápidos (70ns / 250ns)
• Existen versiones en montaje superficial bajo las nomenclaturas MMBT3904 (SOT-23) y SMBT3904 (SOT-23)
• Según el fabricante KEC, el equivalente directo es el KN3904, con características eléctricas idénticas
• Nota importante: El 2N3904G se encuentra en estado Obsoleto (Obsolete) según onsemi, pero sigue ampliamente disponible en distribuidores y fabricantes alternativos como KEC y Central Semiconductor
• Para aplicaciones que requieren mayor corriente, se puede considerar el 2N2222 (800mA) o el PN2222 (TO-92) como alternativas más robustas
• La versión en TO-92 presenta tres formatos de terminales: rectos (bulk), formados en cinta (ammo pack) o en carrete (tape & reel)

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
200mA
Polaridad del Transistor
NPN
Potencia de Trabajo
0,625W (625mW)
Tipo de transistor
Bipolar
Encapsulado
TO-92
Frecuencia de Trabajo
300MHz
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
40V

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