Fabricante: ON Semiconductor, STMicroelectronics, Mospec, Solid State, National Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor NPN de alta potencia
Subcategoría: Power Switching / Linear Amplifier
Serie: Preferred Device (ON Semiconductor)
Alias de parte: 2N3771G (versión Pb-Free), JAN2N3771 (versión militar), JANTX2N3771, JANTXV2N3771
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3 (TO-204AA, TO-204MA, metal can de 2 pines más carcasa como colector)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 40V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 50V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 5V
Corriente de colector máxima (Ic): 30A (continua), 30A (pico)
Corriente de base máxima (Ib): 7.5A (continua), 15A (pico)
Potencia de disipación máxima (Pc): 150W (Tc=25°C), derate lineal 0.855W/°C
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): 1.17°C/W máx
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 4V máx @ Ic=30A, Ib=6A
Ganancia de corriente (hFE): 15 a 60 @ Ic=15A, Vce=4V (mínimo 15, máximo 60)
Frecuencia de transición (ft): 0.2MHz (200kHz) típica
Capacitancia de salida (Cob): 400pF máx @ Vcb=10V
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 5mA máx @ Vcb=50V
Capacidad de ruptura secundaria (I S/b): 3.75A @ Vce=40V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Amplificadores lineales de alta potencia (audio), reguladores serie pasantes, aplicaciones de conmutación inductiva, fuentes de alimentación lineales, etapas de salida de amplificadores de audio de alta fidelidad
País de origen: US, CN, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 12g a 12.4g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N3771 es un transistor NPN de potencia diseñado específicamente para amplificadores lineales de audio de alta potencia y reguladores serie pasantes, con una capacidad de corriente de colector de hasta 30A
• Este dispositivo está calificado con capacidad de ruptura secundaria (Second Breakdown) garantizada: I S/b = 3.75A @ Vce=40V, lo que lo hace especialmente robusto para aplicaciones de audio donde las cargas reactivas pueden generar picos de tensión
• Según el datasheet de ON Semiconductor, es un "Preferred Device", lo que indica que es una selección recomendada para nuevos diseños y representa la mejor relación calidad-precio
• Existen versiones calificadas para aplicaciones militares y aeroespaciales bajo las designaciones JAN2N3771, JANTX2N3771 y JANTXV2N3771
• Configuración de pines en TO-3: Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Carcasa = Colector (conectado internamente)
• La versión libre de plomo (Pb-Free) se identifica con el sufijo "G": 2N3771G
• La potencia máxima de disipación es de 150W a 25°C de temperatura de case (Tc), requiriendo un disipador térmico adecuado para alcanzar este valor. Por encima de 25°C, la potencia se degrada a 0.855W/°C
• La frecuencia de transición es baja (200kHz típico), por lo que está optimizado para aplicaciones de audio y baja frecuencia, no para conmutación de alta frecuencia
• El área de operación segura (SOA) está definida por tres limitaciones: capacidad de corriente del bonding wire, disipación térmica y ruptura secundaria. Para pulsos cortos (<1ms), el límite está en la corriente máxima (30A)
• Aunque algunos fabricantes listan este componente como obsoleto (discontinued), sigue estando disponible en distribuidores como parte de líneas de reposición para equipos vintage
• El complementario PNP recomendado para configuraciones push-pull en amplificadores de audio es el 2N6609 o el MJ15015, que ofrecen características eléctricas simétricas
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