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Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 55V
Id: corriente de drenaje continuo: 75A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 9mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 270W
Modo canal: Enhancement
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 18ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 75ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 32ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 9ns
Altura: 16.3mm
Longitud: 10.67mm
Anchura: 4.7mm
Alias de parte #: HUF75343P3_NL
Peso unitario: 2gr
Descatalogado: Disponibilada limitada
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 55V
Id: corriente de drenaje continuo: 75A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 9mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 270W
Modo canal: Enhancement
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 18ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 75ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 32ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 9ns
Altura: 16.3mm
Longitud: 10.67mm
Anchura: 4.7mm
Alias de parte #: HUF75343P3_NL
Peso unitario: 2gr
Descatalogado: Disponibilada limitada