Fabricante: Hitachi / Inchange Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares - BJT
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoría: Transistors
Tipo: NPN
Tecnología: Silicio Triple Difuso
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3PFM (aislado)
Aplicación: Horizontal Deflection Output (salida de deflexión horizontal)
Especificaciones Eléctricas (Ta=25°C):
• Voltaje colector-emisor (Vces): 1500V
• Voltaje emisor-base (Vebo): 5V
• Corriente del colector pico (Ic(peak)): 14A
• Corriente de colector en sobretensión (Ic(surge)): 28A
• Disipación de potencia (Pc): 50W (Tc=25°C)
• Ganancia de corriente DC (hFE): 5-25 (Ic=1A, Vce=5V)
• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 5V máx (Ic=10A, Ib=2.5A)
• Corriente de fuga colector (Ices): 500µA máx (Vce=1500V)
Características Adicionales:
• Diodo amortiguador integrado (Built-in damper diode): Sí
• Corriente directa del diodo (Id): 14A
Rangos de Temperatura:
• Temperatura de unión (Tj): 150°C máx
• Temperatura de almacenamiento (Tstg): -55°C a +150°C
