Transistor 2SA1386 PNP 160V 15A 130W TO-3P

Transistor 2SA1386 PNP 160V 15A 130W TO-3P

TR2SA1386
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8,73 €
Impuestos incluidos
Transistor 2SA1386 PNP 160V 15A 130W 40MHz TO-3P. Equivalentes: 2SA1386A (180V), 2SA1215, 2SA1492, 2SA1302, 2SA1943. Complementario: 2SC3519 (NPN).
 

Fabricante: Sanken Electric (también Mospec, Inchange, Savantic, Jinmei)
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor PNP para amplificadores de audio y propósito general
Subcategoría: LAPT (Linear Amplifier Power Transistor)
Serie: -
Alias de parte: 2SA1386A (versión de mayor tensión 180V)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio con estructura LAPT (ganancia hFE constante en amplio rango de corriente)
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3P (TO-3P-3L, SC-65-3)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -160V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -160V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -15A
Corriente de colector de corte (Icbo): 100µA máx
Potencia de disipación máxima (Pc): 130W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 2V máx @ Ib=500mA, Ic=5A
Ganancia de corriente (hFE): 50 a 180 @ Ic=5A, Vce=4V
Frecuencia de transición (ft): 40MHz
Capacitancia de salida (Cob): 500pF
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de potencia de audio de alta calidad, propósito general
País de origen: JP (Sanken)
Peso unitario: 6g

Notas importantes:
• El 2SA1386 utiliza la tecnología LAPT (Linear Amplifier Power Transistor) de Sanken, que proporciona una ganancia hFE constante en un amplio rango de corriente, garantizando alta calidad de sonido en aplicaciones de audio profesionales.
• El complementario NPN directo es el 2SC3519, formando un par ideal para amplificadores push-pull de alta potencia.
• Existe una variante 2SA1386A con mayor tensión colector-emisor de -180V.
• Configuración de pines en TO-3P (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Base, Pin 2 = Colector (conectado a la pestaña), Pin 3 = Emisor.
• El encapsulado TO-3P es de alta disipación con pestaña metálica, requiere un disipador térmico adecuado para alcanzar la potencia máxima de 130W.
• Estado del producto: Activo, en producción por Sanken. El tiempo de entrega estándar es de aproximadamente 30 semanas.
• El dispositivo es compatible con RoHS (libre de plomo).
• Múltiples fabricantes asiáticos (Mospec, Inchange, Savantic, Jinmei) ofrecen versiones equivalentes.
• Para aplicaciones de audio de alta calidad, se recomienda usar el par complementario completo 2SA1386 (PNP) y 2SC3519 (NPN) para garantizar simetría y baja distorsión.

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
15A
Polaridad del Transistor
PNP
Potencia de Trabajo
130W
Tipo de transistor
Bipolar
Encapsulado
TO-247
Frecuencia de Trabajo
40MHz
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
160V

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