Transistor 2SA1358 PNP 120V 1A 10W TO-126

Transistor 2SA1358 PNP 120V 1A 10W TO-126

TR2SA1358
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2,57 €
Impuestos incluidos
Transistor 2SA1358 PNP 120V 1A 10W 120MHz TO-126. Equivalentes: 2SA1021, 2SA1184, 2SA1220, 2SB631K, 2SB649, KSA1220, KTA1700. Complementario: 2SC3421 (NPN).
 

Fabricante: Toshiba (original), Inchange Semiconductor (ISC)
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor PNP para amplificador de potencia de audio
Subcategoría: Audio Frequency Power Amplifier
Serie: -
Alias de parte: 2SA1358-Y (versión Y), 2SA1358-O (versión O)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-126 (2-8H1A)
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -120V
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -120V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -1A
Corriente de base máxima (Ib): -0.1A
Potencia de disipación máxima (Pc): 10W (Tc=25°C), 1.5W (Ta=25°C)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): -1V máx @ Ic=-500mA, Ib=-50mA
Ganancia de corriente (hFE): 70 a 240 según clasificación @ Ic=-0.1A, Vce=-5V
Frecuencia de transición (ft): 120MHz
Capacitancia de salida (Cob): 30pF @ Vcb=-10V
Corriente de fuga colector-base (Icbo): -0.1µA máx @ Vcb=-120V
Corriente de fuga emisor-base (Iebo): -0.1µA máx @ Veb=-5V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Driver de amplificadores de audio de 60W a 80W
País de origen: JP (Toshiba), CN (Inchange)
Peso unitario: 0.82g (típico)

Clasificación por ganancia (hFE):
• 2SA1358-O (-O): hFE = 70 a 140
• 2SA1358-Y (-Y): hFE = 120 a 240

Versiones SMD equivalentes:
• 2SA1201 (SOT-89)
• KTA1661 (SOT-89)

Notas importantes:
• El 2SA1358 fue diseñado originalmente por Toshiba para aplicaciones como etapa driver en amplificadores de audio de 60W a 80W.
• El complementario NPN directo es el 2SC3421, formando un par ideal para amplificadores push-pull.
• Configuración de pines en TO-126 (vista frontal con la pestaña hacia abajo): Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Colector, Pin 3 = Base .
• El encapsulado TO-126 de dos patillas largas en posición estándar es compatible con disipadores de calor TO-220, aunque debe fijarse con precaución para no forzar las patillas.
• Este transistor no contiene plomo en sus terminales, pero la versión Toshiba original especifica "Contains lead" en la soldadura interna.
• La versión 2SA1358-Z de Inchange Semiconductor está disponible en encapsulado SMD TO-252 (DPAK) como versión de montaje superficial.
• Estado del producto: Activo, disponible en múltiples fabricantes asiáticos. La versión original de Toshiba está descontinuada pero el componente permanece disponible a través de fabricantes alternativos como ISC y JMnic.

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
1A
Polaridad del Transistor
PNP
Potencia de Trabajo
10W
Tipo de transistor
Bipolar
Encapsulado
TO-126
Frecuencia de Trabajo
120MHz
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
120V

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