Fabricante: Toshiba (originario), también fabricado por JMnic, ISC, Savantic
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor Darlington PNP
Subcategoría: High Power Switching / Hammer Drive
Serie: -
Alias de parte: 2SB1020A (versión especificada por Toshiba)
Tipo: Silicon PNP Triple Diffused Darlington
Configuración: Single con resistencias integradas (aprox. 5kΩ entre base y emisor, 150Ω entre base y colector)
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-220Fa / TO-220F (Totalmente aislado)
Código de marcado: B1020 (a menudo sin el prefijo "2S")
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -100V
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -100V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -7A (continua), -10A (pulso)
Corriente de base máxima (Ib): -0.7A
Potencia de disipación máxima (Pc): 30W (Tc=25°C), 2W (Ta=25°C)
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): No especificada
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): -1.5V máx @ Ic=-3A, Ib=-12mA
Ganancia de corriente (hFE): 2000 min @ Ic=-3A, Vce=-3V; rango máximo hasta 15000
Frecuencia de transición (ft): No especificada (transistor de conmutación)
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Conmutación de alta potencia, hammer drive (driver de martillo), pulse motor drive (driver de motor a pasos)
País de origen: JP (Japón - Toshiba), CN (fabricantes alternativos)
Peso unitario: 1.7g (típico)
Notas importantes:
• El 2SB1020 es un transistor Darlington PNP, lo que significa que integra dos transistores internamente para proporcionar una ganancia de corriente extremadamente alta (hFE mínima 2000).
• El complementario NPN directo es el 2SD1415, formando un par ideal para aplicaciones push-pull .
• Configuración de pines en TO-220Fa (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Base, Pin 2 = Colector, Pin 3 = Emisor .
• El encapsulado TO-220Fa es totalmente aislado, eliminando la necesidad de aislante térmico adicional entre el componente y el disipador.
• La versión 2SB1020A es la especificación oficial de Toshiba, idéntica en características al 2SB1020 base.
• Los fabricantes alternativos (JMnic, Savantic, ISC) ofrecen versiones equivalentes bajo el mismo número de pieza.
• Características destacadas: baja tensión de saturación (1.5V máx a 3A) y alta ganancia de corriente.
• Estado del producto: La versión original de Toshiba está obsoleta, pero existen múltiples fuentes alternativas en el mercado asiático.
• Aplicaciones típicas: circuitos de conmutación de alta potencia, drivers de motores a pasos, circuitos hammer driver para impresoras de impacto y aplicaciones de audio de potencia.
• Precaución: La potencia máxima de disipación es de 30W a 25°C de temperatura de case, requiriendo un disipador térmico adecuado para aplicaciones cercanas al límite.
• El TTB1020B de Toshiba es un reemplazo moderno directo del 2SB1020A, con características mejoradas y el mismo encapsulado.
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 7A
- Polaridad del Transistor
- PNP
- Potencia de Trabajo
- 30W
- Tipo de transistor
- Darlington
- Encapsulado
- TO-220F
- Número de patillas
- 3
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 100V
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