Transistor IRLR8726TRpbf MOSFET-N 30V 86A 75W TO-252

Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: SMD/SMT
Empaquetado / Estuche: DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión drenador-fuente): 30V
Id (corriente de drenaje continuo): 86A
Rds encendido: 8mOhms
Vgs (tensión compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral): 2.35V
Qg (carga de compuertas): 15nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +175°C
Pd (disipación de potencia): 75W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: HEXFET
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 16ns
Transconductancia directa mín.: 73S
Altura: 2.3mm
Longitud: 6.5mm
Anchura: 6.22mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 49ns
Serie: N-Channel
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Tiempo retraso apagado: 15ns
Tiempo retardo conexión: 12ns
Peso unitario: 330mg