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Fabricante: onsemi
Categoría de producto: IGBT
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 600V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.8V
Voltaje puerta-emisor máximo: -20V, 20V
Corriente continua del colector a 25ºC: 40A
Pd (disipación de potencia): 165W
Temperatura operativa mínima: -40ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Serie: HGTG20N60B3
Marca: onsemi / Fairchild
Corriente continua del colector: 40A
Corriente continua del colector Ic Máx.: 40A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/-100nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Subcategoría: IGBTs
Altura: 4.82mm
Longitud: 15.87mm
Anchura: 20.82mm
Alias de parte #: HGTG20N60B3_NL
Peso unitario: 6,390gr
Descatalogado: Disponibilidad limitada
Categoría de producto: IGBT
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 600V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.8V
Voltaje puerta-emisor máximo: -20V, 20V
Corriente continua del colector a 25ºC: 40A
Pd (disipación de potencia): 165W
Temperatura operativa mínima: -40ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Serie: HGTG20N60B3
Marca: onsemi / Fairchild
Corriente continua del colector: 40A
Corriente continua del colector Ic Máx.: 40A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/-100nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Subcategoría: IGBTs
Altura: 4.82mm
Longitud: 15.87mm
Anchura: 20.82mm
Alias de parte #: HGTG20N60B3_NL
Peso unitario: 6,390gr
Descatalogado: Disponibilidad limitada
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 40A
- Polaridad del Transistor
- Canal N
- Potencia de Trabajo
- 165W
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Tipo de transistor
- IGBT
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 600V
- Encapsulado
- TO-247
- Número de patillas
- 3
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