Fabricante: Renesas Electronics (originalmente NEC)
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor PNP de alta tensión y conmutación rápida
Subcategoría: High Voltage Switching / Hybrid Integrated Circuits
Serie: -
Alias de parte: 2SA1413-Z, 2SA1413-AZ, 2SA1413-Z-M, 2SA1413-ZL
Tipo: Silicon PNP Triple Diffused Transistor
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole (MP-3/TO-252 también en SMD)
Encapsulado: MP-3 (TO-252, 3 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -600V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -600V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -7V
Corriente de colector máxima (Ic): -1A
Corriente de colector pico (Icp): -2A
Potencia de disipación máxima (Pc): 10W (MP-3 THT) / 2W (TO-252 SMD)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1V máx @ Ic=-0.3A, Ib=-0.06A
Ganancia de corriente (hFE): 40 a 120 @ Ic=-100mA, Vce=-5V
Frecuencia de transición (ft): 28MHz
Tiempo de caída (tf): 1.0µs máx
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Conmutación de alta tensión en circuitos integrados híbridos, fuentes conmutadas
País de origen: JP (Japón)
Peso unitario: 0.325g
Clasificación por ganancia (hFE):
• 2SA1413-Z-M: hFE = 30 a 60
• 2SA1413-Z-L: hFE = 40 a 80
• 2SA1413-Z-K: hFE = 60 a 120
Notas importantes:
• El 2SA1413 está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta tensión, especialmente en circuitos integrados híbridos.
• El complementario NPN directo es el 2SC3632-Z.
• Configuración de pines: Pin 1 = Base, Pin 2 = Colector (colector fin), Pin 3 = Emisor .
• El encapsulado MP-3 (equivalente TO-252) permite fijación con disipador térmico mediante la pestaña del colector.
• La potencia de disipación máxima varía según la versión de montaje: 10W para montaje THT con disipador cerámico , 2W para montaje SMD estándar.
• La versión 2SA1413-AZ es compatible con RoHS y libre de plomo (lead free).
• Estado del producto: Activo, en producción ; sin embargo, NEC fue adquirida por Renesas Electronics, que ahora comercializa este componente bajo su marca.
• Este transistor es adecuado para aplicaciones de alta tensión y velocidad moderada, con un tiempo de conmutación máximo de 1.0 microsegundo.
• Las versiones con sufijo "-Z", "-Z-M", "-Z-L", "-Z-K" indican diferentes lotes de fabricación y rangos de ganancia.
