Fabricante: TT Electronics (Semelab), ON Semiconductor, STMicroelectronics, NTE Electronics, Central Semiconductor, Mospec, Multicomp
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor Darlington de potencia
Subcategoría: Power Darlington Transistor
Serie: 2N6050 Series
Alias de parte: 2N6059 PBFREE (versión libre de plomo), 2N6059G
Tipo: Silicon NPN Darlington Power Transistor
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-3 (TO-204AA, metal can de 2 pines más carcasa como colector)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 100V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 100V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 5V
Corriente de colector máxima (Ic): 12A (continua)
Potencia de disipación máxima (Pc): 150W (Tc=25°C)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 2V @ Ic=6A, Ib=24mA; 3V @ Ic=12A, Ib=120mA
Ganancia de corriente (hFE): 750 a 18000 @ Ic=6A, Vce=3V
Frecuencia de transición (ft): 4MHz
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 1mA máx @ Vcb=100V
Corriente de fuga colector-emisor (Iceo): 1mA máx @ Vce=80V
Protecciones: Incluye diodo de sujeción (clamp diode) y resistencias de polarización integradas
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Amplificadores de audio de alta potencia, reguladores de tensión serie, drivers de motores, inversores, conmutación de potencia, aplicaciones automotrices
País de origen: US, PH, IN, GB (varía según fabricante)
Peso unitario: 11.5g a 12.4g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N6059 es un transistor Darlington de potencia NPN, lo que significa que incorpora dos transistores internamente configurados en cascada para proporcionar una ganancia de corriente extremadamente alta (hFE hasta 18,000)
• Incluye diodo de sujeción (clamp diode) y resistencias de polarización integradas, lo que simplifica el diseño de circuitos inductivos y mejora la estabilidad térmica
• El encapsulado TO-3 es hermético con base de Kovar y tapa de níquel, ideal para aplicaciones de alta disipación y entornos exigentes
• Configuración de pines en TO-3: Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Carcasa = Colector
• El complementario PNP directo es el 2N6052, formando un par ideal para amplificadores push-pull de alta potencia
• La potencia máxima de disipación es de 150W a 25°C de temperatura de case (Tc), requiriendo un disipador térmico adecuado
• Estado del producto: Obsoleto (Obsolete) según la mayoría de los fabricantes, pero aún disponible en distribuidores como stock remanente
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica como 2N6059 PBFREE de Central Semiconductor
• Equivalencias clave:
• 2N6284 / 2N6284G - ON Semiconductor, TO-3, 100V, 20A, 160W (mayor corriente)
• 2SC1584 / 2SC1585 / 2SC1586 - NPN Darlington, 100V, 15A, 150W
• BD317 - TO-220, 100V, 12A, 80W (menor disipación)
• Este transistor es ideal para amplificadores de audio de alta potencia de clase AB, con una ganancia extremadamente alta que permite etapas de entrada de muy baja corriente
