Fabricante: MOSPEC Semiconductor, New Jersey Semiconductor, Microchip Technology, Central Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia media
Tipo de producto: Transistor PNP de alta tensión para conmutación
Subcategoría: Power Switching Transistor / High Voltage
Serie: 2N6211 / 2N6212 / 2N6213
Alias de parte: 2N6211 LEAD FREE (versión RoHS), JAN2N6211 (versión militar MIL-PRF-19500/461)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-66 (TO-213AA, metal can de 2 pines más carcasa como colector)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 225V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 275V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 6V
Corriente de colector máxima (Ic): 2A (continua), 5A (pico)
Corriente de base máxima (Ib): 1A
Potencia de disipación máxima (Pc): 35W (Tc=25°C)
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): 5°C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1.4V máx @ Ic=1A, Ib=125mA
Ganancia de corriente (hFE): 10 a 100 @ Ic=1A, Vce=5V
Frecuencia de transición (ft): 10MHz mín (20MHz nominal según algunos fabricantes)
Capacitancia de salida (Cob): 220pF máx
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 5mA máx @ Vcb=275V
Corriente de fuga colector-emisor (Iceo): 5mA máx @ Vce=225V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Conmutación de potencia en cargas inductivas, amplificadores de potencia, aplicaciones de alta tensión y velocidad media, reguladores de tensión serie
País de origen: US, CN, IN (varía según fabricante)
Peso unitario: 5g a 8g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N6211 es un transistor PNP de potencia media diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación en cargas inductivas de alta tensión y velocidad media
• Pertenece a una familia de transistores PNP que incluye también los modelos:
• 2N6212: Vceo=300V, Vcbo=350V
• 2N6213: Vceo=350V, Vcbo=400V
• Configuración de pines en TO-66: Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Carcasa = Colector (conectado internamente)
• La potencia máxima de disipación es de 35W a 25°C de temperatura de case (Tc), requiriendo un disipador térmico adecuado para alcanzar este valor. Por encima de 25°C, la potencia se degrada linealmente a 200mW/°C
• Existen versiones calificadas para aplicaciones militares bajo las designaciones JAN2N6211, JANTX2N6211 y JANTXV2N6211, que cumplen con la especificación MIL-PRF-19500/461
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS está disponible como 2N6211LEADFREE de Central Semiconductor
• Discrepancia en especificaciones:
• La mayoría de los fabricantes (MOSPEC, NJ Semi, Central) especifican 2A de corriente continua de colector
• Microchip Technology indica 5mA en su hoja de datos (posible error de transcripción)
• Se recomienda verificar la hoja de datos del fabricante específico para la versión utilizada
• El encapsulado TO-66 es el predecesor del TO-220 en metal can, con excelente disipación térmica gracias a su carcasa metálica
• Aplicaciones típicas:
• Conmutación de potencia en cargas inductivas
• Amplificadores de potencia de audio de clase AB
• Reguladores de tensión serie
• Inversores de media potencia
• Aplicaciones industriales y de consumo
• El complementario NPN sugerido para aplicaciones push-pull es el 2N6214, que ofrece características eléctricas simétricas
• Estado del producto: Activo (en producción) según Central Semiconductor y Microchip, aunque con disponibilidad limitada en distribuidores
