Transistor FGA25N120ANTD IGBT 1200V 50A 312W TO-3P

Transistor FGA25N120ANTD IGBT 1200V 50A 312W TO-3P

TRFGA25N120
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Transistor FGA25N120ANTDTU-F109 IGBT 1200V 50A 312W TO-3P

 
Fabricante: onsemi 
Categoría de producto: IGBT 
Empaquetado / Estuche: TO-3PN-3 
Estilo de montaje: Through Hole 
Configuración: Single 
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 1.2kV 
Voltaje de saturación colector-emisor: 2.65V 
Voltaje puerta-emisor máximo: -20V, 20V 
Corriente continua del colector a 25ºC: 50A 
Pd (disipación de potencia): 312W 
Temperatura operativa mínima: -55ºC 
Temperatura operativa máxima: +150ºC 
Serie: FGA25N120ANTDTU 
Marca: onsemi / Fairchild 
Corriente continua del colector Ic Máx.: 50A 
Tipo de producto: IGBT Transistors 
Subcategoría: IGBTs 
Altura: 18.9mm 
Longitud: 15.8mm 
Anchura: 5mm 
Alias de parte #: FGA25N120ANTDTU_F109 
Peso unitario: 6,401gr
Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
50A
Polaridad del Transistor
NPN
Potencia de Trabajo
312W
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Tipo de transistor
IGBT
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
1200V
Encapsulado
TO-3P
Número de patillas
3

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