Fabricante: onsemi
Categoría: Transistores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tipo de producto: IGBT de potencia de alta velocidad
Subcategoría: Field Stop IGBT
Serie: -
Alias de parte: FGH40N60SMD
Descripción: IGBT de campo cortado (Field Stop) con baja tensión de saturación
Configuración: Single
Tecnología: Field Stop (FS) IGBT
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-247-3 (TO-247AB)
IGBT Type: Field Stop (FS)
Tensión colector-emisor máxima (Vces): 600V
Corriente de colector máxima (Ic): 80A (Tc=25°C) / 40A (Tc=100°C)
Corriente de colector pulsada (Icm): 120A
Potencia de disipación máxima (Pd): 349W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 2.5V máx @ 40A, 15V
Corriente de fuga colector (Ices): No especificada
Tensión umbral puerta-emisor (Vge(th)): 4V a 6V @ 250µA
Capacitancia de entrada (Cies): 1.88nF
Capacitancia de salida (Coes): 180pF
Capacitancia de transferencia inversa (Cres): 50pF
Carga de puerta total (Qg): 119nC @ 15V
Tiempo de retardo encendido (td(on)): 12ns
Tiempo de subida (tr): 28ns
Tiempo de retardo apagado (td(off)): 92ns
Tiempo de caída (tf): 17ns (máx 28ns)
Energía de conmutación encendido (Eon): 870µJ
Energía de conmutación apagado (Eoff): 260µJ
Diodo de cuerpo: No incluido (no tiene diodo intrínseco)
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +175°C
Aplicación principal: Inversores, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), sistemas de calentamiento por inducción (hornos microondas), equipos de soldadura inversora (IGBT)
País de origen: MY (Malasia, según distribución)
Peso unitario: 6.39g
Cumplimiento RoHS: Sí (ROHS3 Compliant)
Notas importantes:
• El FGH40N60SMD es un IGBT de tipo Field Stop (FS) de 600V y 80A fabricado por onsemi, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia como hornos de inducción, sistemas de soldadura inversora y fuentes de alimentación conmutadas.
• Este dispositivo no incluye un diodo de cuerpo intrínseco, por lo que en la mayoría de aplicaciones de conmutación debe utilizarse junto con un diodo de recuperación rápida externo (FRD) en paralelo o en el mismo encapsulado.
• Configuración de pines en TO-247 (vista frontal con la pestaña hacia arriba): Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Colector (Drain), Pin 3 = Emisor (Source).
• Las versiones alternativas directas incluyen el STGW39NC60VD de STMicroelectronics y el IKW75N60T de Infineon, que ofrecen características eléctricas similares pero pueden requerir ajustes en el diseño de la placa.
• El MM40GTU60B de MACMIC está listado explícitamente como una alternativa compatible con el FGH40N60SMD en aplicaciones de equipos de soldadura.
• La potencia máxima de disipación es de 349W a 25°C de temperatura de case, requiriendo un disipador térmico adecuado.
• El componente está clasificado como Activo (Active) por el fabricante, pero con plazos de entrega de hasta 20 semanas en algunos distribuidores.
• Las pruebas de conmutación se realizan bajo condición estándar de 400V, 40A, 6O y 15V en la puerta, obteniendo una energía de conmutación de encendido de 870µJ y apagado de 260µJ.
• La alta capacidad de corriente pulsada (120A) lo hace adecuado para aplicaciones que requieren manejar picos de corriente durante la conmutación sin dañar el dispositivo.
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