Transistor FQP50N06 MOSFET-N 60V 50A 120W TO-220

Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión separación drenador-fuente: 60V
Id - Corriente de drenaje continuo: 50A
Rds encendido - Resistencia drenaje-fuente: 22mO
Vgs - Tensión compuerta-fuente: -25V, +25V
Vgs th - Tensión umbral compuerta-fuente: 4V
Qg - Carga de compuertas: 31nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +175°C
Pd - Disipación de potencia: 120W
Modo canal: Enhancement
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 65ns
Transconductancia directa - mín.: 22S
Altura: 16.3mm
Longitud: 10.67mm
Anchura: 4.7mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 105ns
Serie: FQP50N06
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 60ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 15ns
Alias de parte #: FQP50N06_NL
Peso unitario: 2gr