Fabricante: Múltiples (ON Semiconductor, Diodes Inc., MCC, Rectron, MSKSEMI)
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor PNP de alta tensión y propósito general
Subcategoría: Small Signal Surface Mount Transistor
Serie: -
Alias de parte: MMBT5401LT1G (ON Semi), MMBT5401-7-F (Diodes Inc.), MMBT5401-TP (MCC)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulado: SOT-23 (TO-236AB, plástico de 3 pines)
Código de marcado: "2L" o "2Lx" según fabricante
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -150V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -160V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -500mA a -600mA según fabricante
Potencia de disipación máxima (Pd): 225mW a 310mW según montaje y fabricante
Resistencia térmica unión-ambiente (Rthja): 417°C/W a 556°C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): -0.5V máx @ Ic=-50mA, Ib=-5mA
Ganancia de corriente (hFE): 60 mínimo @ Ic=-10mA, Vce=-5V
Frecuencia de transición (ft): 300MHz típica
Corriente de fuga colector-base (Icbo): -50nA máx @ Vcb=-120V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificadores de alto voltaje, conmutación de baja potencia, niveladores lógicos, drivers, aplicaciones automotrices (versiones AEC-Q101), equipos de audio e IoT
País de origen: US, CN, MY (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.008g (aprox)
Notas importantes:
• El MMBT5401 es un transistor PNP de alta tensión en encapsulado SOT-23, diseñado como complemento superficial del 2N5401 (TO-92), compartiendo características eléctricas muy similares pero con menor disipación de potencia .
• Configuración de pines en SOT-23 (vista superior): Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Pin 3 = Colector .
• Versiones especiales:
• SMMBT5401LT1G - Versión calificada para automoción (AEC-Q101)
• NSVMMBT5401LT3G - Versión automotriz con mayor cantidad por carrete
• MMBT5401LT1G - Versión estándar ON Semiconductor (3,000 unidades/carrete)
• MMBT5401LT3G - Versión ON Semiconductor (10,000 unidades/carrete)
• Versiones según fabricante:
• ON Semiconductor: Corriente máxima -500mA, potencia 300mW, versión "LT1G/LT3G"
• Diodes Inc.: Corriente máxima -600mA, potencia 310mW, versión "-7-F"
• Rectron: Corriente nominal 600mA, Vceo 150V
• Equivalencias clave:
• MMBT5401LT1G - ON Semiconductor (el más común y disponible)
• MMBT5401-7-F - Diodes Incorporated (mayor corriente: 600mA)
• 2N5401 - Versión Through-Hole en TO-92, misma familia
• Características destacadas:
• Alta tensión de ruptura: Vceo = 150V, ideal para aplicaciones de alta tensión donde otros transistores SOT-23 no llegan
• Alta ganancia de corriente DC desde 0.1mA hasta 100mA
• Baja tensión de saturación: VCE(sat) = 0.5V
• Buena respuesta en alta frecuencia: 100-300MHz según fabricante
• Certificación AEC-Q101 disponible en versiones "SMMBT" para aplicaciones automotrices
• Aplicaciones típicas:
• Amplificadores de señal pequeña de alta tensión
• Conmutación de baja potencia
• Niveladores lógicos (level shifters)
• Circuitos de driver y control
• Electrónica automotriz (versiones calificadas)
• Módulos IoT y dispositivos portátiles
