Fabricante: onsemi (ON Semiconductor), Central Semiconductor, NXP
Categoría: Tiristores
Tipo de producto: Transistor de Unijuntura Programable (PUT)
Subcategoría: Dispositivos de conmutación y osciladores
Serie: -
Alias de parte: 2N6027G (versión libre de plomo), 2N6027RLRA
Tipo: Silicon Programmable Unijunction Transistor (PUT)
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-226AA, plástico de 3 pines)
Tensión ánodo-cátodo máxima (VAK): 40V
Tensión inversa de puerta-ánodo (VGAR): 40V
Corriente de pico (IP): 2µA típico
Corriente de valle (IV): 50µA mín (70µA según algunas fuentes)
Corriente de mantenimiento (IH): 0.5mA a 5mA (típico)
Corriente de disparo de puerta (IGT): 10µA a 40µA
Tensión de disparo de puerta (VGT): 0.6V a 4V
Corriente máxima de ánodo (IT): 150mA
Corriente de ánodo en conducción (IOn-State): 5A (surge)
Potencia de disipación máxima (Pd): 300mW
Corriente de fuga puerta-ánodo (IGAO): 10nA máx
Tensión de salida (VOUT): 11V máx
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -50°C a +150°C
Aplicación principal: Osciladores de relajación, circuitos de temporización, generadores de pulsos, circuitos de disparo para SCR y TRIAC, control de fase, osciladores de diente de sierra
País de origen: TH (Tailandia), varía según fabricante
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N6027 es un PUT (Programmable Unijunction Transistor) que combina las características de un transistor de unijuntura con la capacidad de programar su tensión de disparo mediante dos resistencias externas
• A diferencia del UJT clásico (como el 2N2646), el PUT permite ajustar la tensión de pico (VP) mediante un divisor de tensión conectado a la puerta, lo que lo hace mucho más versátil
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Ánodo (Anode A), Pin 2 = Puerta (Gate G), Pin 3 = Cátodo (Cathode K)
• Principio de funcionamiento: El PUT se dispara cuando la tensión en el ánodo supera la tensión de puerta más aproximadamente 0.6V, presentando una característica de resistencia negativa similar a un UJT convencional
• La potencia máxima de disipación es de 300mW a 25°C de temperatura ambiente
• Este dispositivo es ideal para sustituir al 2N2646 en aplicaciones de osciladores de relajación, siendo más económico y flexible
• Estado del producto: Obsoleto (Obsolete) según onsemi, aunque Central Semiconductor aún lo mantiene activo con la versión libre de plomo 2N6027 PBFREE
• El 2N6027 no es un transistor bipolar estándar; su funcionamiento se asemeja más al de un SCR de baja potencia con comportamiento de resistencia negativa
• Aplicaciones típicas:
• Osciladores de relajación para temporizadores y generadores de pulsos
• Circuitos de disparo para SCR y TRIAC en control de fase
• Generadores de diente de sierra para barrido en osciloscopios
• Circuitos de control de velocidad de motores
• Sistemas de atenuación de luz (dimers)
• La versión 2N6028 es un equivalente directo con características ligeramente diferentes (menor IP, mayor IV)
• Recomendación de uso: Para un funcionamiento estable, se recomienda operar el dispositivo al menos un 20% por debajo de sus valores máximos absolutos
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