Fabricante: onsemi (ON Semiconductor), NXP Semiconductors, Fairchild, Multicomp Pro, KEC, Central Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de alta tensión para propósito general
Subcategoría: Small Signal Transistor / Amplificador
Serie: -
Alias de parte: 2N5551G (versión libre de plomo), 2N5551,116 (versión NXP)
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-226AA, TO-226-3, plástico de 3 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 160V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 180V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 6V
Corriente de colector máxima (Ic): 600mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 625mW (630mW en algunas versiones)
Resistencia térmica unión-ambiente (Rthja): 200°C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 200mV máx @ Ic=50mA, Ib=5mA
Ganancia de corriente (hFE): 80 a 300 @ Ic=10mA, Vce=5V (mínimo 80)
Frecuencia de transición (ft): 300MHz (100MHz en algunas versiones)
Capacitancia de salida (Cob): No especificada
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 50nA máx @ Vcb=120V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificación y conmutación en aplicaciones de alta tensión, telefonía, amplificadores de audio, circuitos de regulación de tensión, drivers de transformadores, conmutación PWM de alta frecuencia, circuitos de retroalimentación en fuentes de alimentación
País de origen: US, CN, MY, PH, NL (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N5551 es un transistor NPN de alta tensión diseñado específicamente para aplicaciones que requieren operar con tensiones de hasta 160V, superando ampliamente a transistores de propósito general como el 2N3904 (40V) o el BC547 (45V)
• El complementario PNP directo es el 2N5401, formando un par ampliamente utilizado en amplificadores push-pull, circuitos de telefonía y etapas de salida de audio
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector
• Existen versiones en montaje superficial bajo la nomenclatura MMBT5551 (SOT-23) para aplicaciones SMD
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica con el sufijo "G": 2N5551G
• Discrepancia en especificaciones:
• La corriente máxima de colector es 600mA según la mayoría de los fabricantes (onsemi, Multicomp, Fairchild)
• NXP Semiconductors especifica 300mA en su versión 2N5551,116
• Se recomienda verificar la hoja de datos del fabricante específico para la versión utilizada
• Discrepancia en frecuencia de transición:
• onsemi y Multicomp especifican 300MHz
• NXP y otras fuentes indican 100MHz
• Central Semiconductor especifica 100MHz en su hoja de datos
• La potencia máxima de disipación es de 625mW a 25°C de temperatura ambiente, con un factor de degradación de 5.0mW/°C por encima de esa temperatura
• Este transistor es ideal para aplicaciones de alta tensión con corrientes moderadas, como drivers de transformadores, circuitos de retroalimentación en fuentes conmutadas y etapas de amplificación de audio de alta fidelidad
• Existen versiones en formato de dado desnudo (bare die) para aplicaciones híbridas de alta confiabilidad en los sectores industrial, médico, militar y aeroespacial
• Estado del producto: Obsoleto (Obsolete) según onsemi y NXP, pero sigue ampliamente disponible en distribuidores y fabricantes alternativos como Multicomp Pro, KEC y Central Semiconductor
• Para aplicaciones que requieren mayor tensión (hasta 300V), se puede considerar el MPSA42 como alternativa
También podría interesarle
