Fabricante: onsemi (ON Semiconductor), Fairchild, KEC Corporation, Multicomp Pro, NXP, Diotec Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor PNP de alta tensión y propósito general
Subcategoría: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N5401G (versión libre de plomo), 2N5401_D81Z (versión Fairchild)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-226AA, plástico de 3 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 150V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 160V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 5V
Corriente de colector máxima (Ic): 600mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 625mW (Tc=25°C)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 500mV máx @ Ic=50mA, Ib=5mA
Ganancia de corriente (hFE): 60 a 240 @ Ic=10mA, Vce=5V (mínimo 50 en algunos fabricantes)
Frecuencia de transición (ft): 400MHz (100-400MHz según fabricante)
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 100nA máx @ Vcb=100V
Capacitancia de colector (Cob): 6pF típico @ Vcb=10V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificación y conmutación de alta tensión, circuitos telefónicos, amplificadores de audio, etapas de entrada en fuentes de alimentación, aplicaciones de alta tensión y baja corriente
País de origen: US, CN, MY, KR, IN, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N5401 es un transistor PNP de alta tensón, diseñado específicamente para aplicaciones donde se requiere operar con tensiones de hasta 150V y corrientes moderadas (600mA)
• El complementario NPN directo es el 2N5551, formando un par ampliamente utilizado en amplificadores push-pull, circuitos de telefonía y etapas de salida de audio
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica con el sufijo "G": 2N5401G
• Existe una versión en montaje superficial bajo la nomenclatura MMBT5401 (SOT-23) con características eléctricas equivalentes
• Este transistor es ideal para aplicaciones de alta tensión donde el consumo de corriente es bajo, como circuitos telefónicos, fuentes de alimentación sin transformador y sistemas industriales
• La ganancia de corriente (hFE) varía según el fabricante: KEC especifica 60-240 , mientras que otros fabricantes indican 50-240
• La frecuencia de transición también presenta variaciones: onsemi especifica 300MHz , mientras que Fairchild y otros indican 400MHz
• El transistor puede manejar hasta 600mA de corriente de colector, suficiente para controlar relés, LEDs y otros transistores en aplicaciones de conmutación
• Para obtener un rendimiento óptimo y prolongar la vida útil, se recomienda operar dentro de los límites especificados y utilizar una resistencia de base adecuada
• Aunque algunos fabricantes lo listan como componente de propósito general, su característica más destacada es la capacidad de operar a altas tensiones (150V), lo que lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta tensión y baja corriente
