Transistor SMBT3906 PNP 40V 200mA 330mW SOT-23

Transistor SMBT3906 PNP 40V 200mA 330mW SOT-23

TRSMBT3906
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Transistor SMBT3906 PNP 40V 200mA 330mW 250MHz SOT-23. Equivalentes: MMBT3906, PMBT3906, SMMBT3906. Complementario: SMBT3904 (NPN)
 

Fabricante: Infineon Technologies, también producido por ON Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor PNP de conmutación y propósito general
Subcategoría: Small Signal Surface Mount Transistor
Serie: -
Alias de parte: SMBT3906E6327, SMBT3906E6327HTSA1, SMBT 3906 B5003
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulado: SOT-23 (TO-236AB, plástico de 3 pines)
Marcado (Código de impresión): "2A" o "S2A" (según fabricante y versión)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -40V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -40V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V o -6V según fabricante
Corriente de colector máxima (Ic): -200mA
Corriente de colector pico (Icm): No especificada (típico >500mA en pulso)
Potencia de disipación máxima (Pd): 330mW (Infineon) / 225-300mW (ON Semi)
Resistencia térmica unión-ambiente (Rthja): ~378°C/W (típico)
Tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)): -0.4V máx @ Ic=-50mA, Ib=-5mA
Ganancia de corriente (hFE): 100 a 300 @ Ic=-10mA, Vce=-1V
Frecuencia de transición (ft): 250MHz (típica)
Capacitancia de salida (Cobo): 4.5pF máx
Corriente de fuga colector-base (Icbo): -50nA máx @ Vcb=-30V
Tiempo de encendido (ton): 70ns máx
Tiempo de apagado (toff): 300ns máx
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificación de señal pequeña, conmutación de baja potencia, niveladores lógicos, amplificadores de audio portátiles, circuitos de control, aplicaciones de montaje superficial de propósito general
País de origen: CN (China) para versiones ON Semiconductor; DE (Alemania) Infineon
Peso unitario: 0.008g (aprox)

Notas importantes:

• El SMBT3906 es la versión de montaje superficial (SMD, encapsulado SOT-23) del popular transistor PNP 2N3906 (TO-92), compartiendo características eléctricas muy similares pero con menor disipación de potencia (330mW vs 625mW)

• Configuración de pines en SOT-23 (vista superior): Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Pin 3 = Colector . Es importante verificar el pinout en el datasheet del fabricante específico, ya que algunos distribuidores listan configuraciones diferentes

• El complementario NPN directo disponible en SOT-23 es el SMBT3904, formando un par ideal para amplificadores push-pull, niveladores lógicos y circuitos de conmutación

• Versiones y sufijos comunes:
• SMBT3906E6327 / SMBT3906E6327HTSA1 - Nomenclatura completa de Infineon para embalaje en cinta y carrete
• SMBT 3906 B5003 - Otra variante de embalaje de Infineon (3.000 unidades por carrete)
• SMMBT3906 - Versión calificada para automoción (AEC-Q101) y alta confiabilidad de ON Semiconductor, con código de pieza SMMBT3906LT1G
• MMBT3906 - Versión equivalente de ON Semiconductor, Diodes Inc. y otros fabricantes

• Calificaciones especiales:
• AEC-Q101: Las versiones con prefijo "SMMBT" (ON Semi) o la serie SMBT3906 de Infineon están calificadas para aplicaciones automotrices
• RoHS Compliant: Libre de plomo (Pb-Free) y compatible con las normativas ambientales

• Estado del producto: Activo y ampliamente disponible en Infineon y ON Semiconductor, aunque la versión MMBT3906 está etiquetada como "Obsoleta" en algunas referencias . Disponible en DigiKey, Mouser, Rutronik y otros distribuidores globales con lead times de 6 a 60 semanas según fabricante y cantidad

• Características destacadas (Infineon):
• Alta ganancia de corriente DC: 0.1 mA a 100 mA
• Baja tensión de saturación colector-emisor: VCE(sat) ≤ 0.4V
• Alta velocidad de conmutación: ton = 70ns, toff = 300ns

• Versiones multichip: Infineon también produce versiones duales en un solo encapsulado bajo las designaciones SMBT3906S (SOT-363) y SMBT3906U (SC-74), que contienen dos transistores PNP independientes internamente, útiles para diseño de espacios reducidos

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
200mA
Polaridad del Transistor
PNP
Potencia de Trabajo
0,33W (330mW)
Tipo de transistor
Bipolar
Encapsulado
SOT-23
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Superficial
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
40V

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