Fabricante: STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, Multicomp Pro, Central Semiconductor, Microchip
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor PNP de alta tensión y propósito general
Subcategoría: High Voltage Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N5415 PBFREE (versión libre de plomo), JANTX2N5415 (versión militar)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, metal can de 3 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 200V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 200V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 4V (6V en algunas versiones según fabricante)
Corriente de colector máxima (Ic): 1A
Corriente de colector máxima (Ic) – según algunos fabricantes: 100mA a 200mA (discrepancia de especificación)
Potencia de disipación máxima (Pc): 10W (Tc=25°C) – 1W (Ta=25°C sin disipador)
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): 17.5°C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 2.5V máx @ Ic=50mA, Ib=5mA
Ganancia de corriente (hFE): 30 a 150 @ Ic=50mA, Vce=10V (mínimo 30)
Frecuencia de transición (ft): 15MHz mín (típico 15-20MHz según fabricante)
Capacitancia de salida (Cob): 15pF máx @ Vcb=10V
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 50µA máx @ Vcb=200V
Corriente de fuga colector-emisor (Iceo): 50µA máx @ Vce=150V
Corriente de fuga emisor-base (Iebo): 20µA máx @ Veb=4V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Drivers en inversores de alta tensión y baja corriente, reguladores serie, conmutación de alta velocidad, amplificadores de audio de alta tensión, etapas de entrada en fuentes de alimentación, aplicaciones industriales y de consumo
País de origen: US, IN, CN, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 1.5g a 2.5g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N5415 es un transistor PNP de alta tensión diseñado específicamente para aplicaciones de drivers en inversores de alta tensión y baja corriente, así como para reguladores serie y circuitos de conmutación
• Existe una versión de mayor tensión llamada 2N5416 con Vceo=300V y Vcbo=300V, manteniendo características similares
• Configuración de pines en TO-39: Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector (la carcasa metálica está conectada internamente al colector)
• La potencia máxima de disipación varía según la condición de montaje:
• 10W a 25°C de temperatura de case (Tc), con disipador térmico adecuado
• 1W a 25°C de temperatura ambiente (Ta), sin disipador
• Existe una discrepancia en la corriente máxima de colector según los fabricantes:
• STMicroelectronics, Multicomp Pro y Central Semiconductor especifican 1A
• Fairchild Semiconductor y ON Semiconductor especifican 100mA
• Se recomienda verificar la hoja de datos del fabricante específico para la versión utilizada
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica como 2N5415 PBFREE
• Existen versiones calificadas para aplicaciones militares bajo las designaciones JAN2N5415, JANTX2N5415 y JANTXV2N5415, con especificaciones más estrictas de confiabilidad
• Este transistor está diseñado para operar en aplicaciones donde se requiere alta tensión con corrientes moderadas, siendo el complementario NPN sugerido el 2N5551
• La frecuencia de transición de 15MHz lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia y amplificación de audio de alta fidelidad
• El encapsulado TO-39 es hermético, con base de Kovar y tapa de níquel, lo que lo hace adecuado para entornos exigentes y aplicaciones militares
• Multicomp Pro listó este componente como obsoleto (No Longer Manufactured), pero sigue disponible en otros fabricantes como Central Semiconductor y Microchip
• Aplicaciones típicas: Drivers de alta tensión, etapas de entrada en amplificadores de audio, circuitos de telefonía y sistemas industriales
