Fabricante: STMicroelectronics, Microchip, Central Semiconductor, Comset Semiconductors
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de alta tensión
Tipo de producto: Transistor PNP para drivers de alta tensión y baja corriente
Subcategoría: High Voltage Small Signal Transistor
Serie: 2N5415 / 2N5416
Alias de parte: 2N5416 PBFREE (versión libre de plomo), JAN2N5416 (versión militar)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, metal can de 3 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 300V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 350V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 6V
Corriente de colector máxima (Ic): 1A
Corriente de base máxima (Ib): 0.5A
Potencia de disipación máxima (Pc): 10W (Tc=25°C), 1W (Ta=25°C sin disipador)
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): 17.5°C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 2.5V máx @ Ic=50mA, Ib=5mA
Ganancia de corriente (hFE): 30 a 120 @ Ic=50mA, Vce=10V
Frecuencia de transición (ft): 15MHz
Capacitancia de salida (Cob): 25pF máx @ Vcb=10V
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 50µA máx @ Vcb=200V
Corriente de fuga colector-emisor (Iceo): 50µA máx @ Vce=150V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Drivers en inversores de alta tensión y baja corriente, reguladores serie, conmutación de alta velocidad, amplificadores de audio de alta tensión, aplicaciones militares y aeroespaciales
País de origen: US, IT, CN (varía según fabricante)
Peso unitario: 1.5g a 2.5g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N5416 es la versión de mayor tensión de la serie 2N5415/2N5416, ofreciendo 300V de Vceo frente a los 200V del 2N5415
• Existen versiones calificadas para aplicaciones militares bajo las designaciones JAN2N5416, JANTX2N5416 y JANTXV2N5416, con especificaciones de confiabilidad mejoradas
• Configuración de pines en TO-39: Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector (la carcasa metálica está conectada internamente al colector)
• La potencia máxima de disipación varía según la condición de montaje:
• 10W a 25°C de temperatura de case (Tc), con disipador térmico adecuado
• 1W a 25°C de temperatura ambiente (Ta), sin disipador
• La versión en montaje superficial está disponible como 2N5416UA/TR7 (encapsulado UA de 4 pines, 750mW)
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica como 2N5416 PBFREE
• Discrepancia en especificaciones:
• La mayoría de los fabricantes (STMicroelectronics, Central Semiconductor) especifican 10W de potencia máxima
• Algunas fuentes (Microchip para versión UA) indican 750mW, que corresponde a la versión de montaje superficial sin disipador
• La corriente de colector máxima es 1A según STMicroelectronics, aunque algunas referencias indican 200mA
• El complementario NPN sugerido para aplicaciones push-pull es el 2N5551 (160V) o el 2N3439 (350V) para aplicaciones de mayor tensión
• Este transistor está diseñado para aplicaciones de drivers en inversores de alta tensión y baja corriente, así como para reguladores serie y circuitos de conmutación
• La frecuencia de transición de 15MHz lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia y amplificación de audio de alta fidelidad
• El encapsulado TO-39 es hermético, con base de Kovar y tapa de níquel, lo que lo hace adecuado para entornos exigentes y aplicaciones militares
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