Transistor AP30G120W IGBT-N 1200V 30A 208W TO-3P

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TRAP30G120W
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Transistor AP30G120W IGBT-N 1200V 30A 208W TO-3P

 
Transistor AP30G120W IGBT-N 1200V 30A 208W TO-3P
Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
30A
Polaridad del Transistor
Canal N
Potencia de Trabajo
208W
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Tipo de transistor
IGBT
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
1200V
Encapsulado
TO-3P
Número de patillas
3

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