Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Categoria: Transistores FET, MOSFETs
Tipo de producto: MOSFET de potencia N-Channel
Subcategoria: MOSFETs de alta tension
Serie: -
Alias de parte: AOT12N60
Tipo: N-Channel MOSFET (Metal Oxide)
Configuracion: Single
Tecnologia: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-220 (TO-220-3)
Tension draino-surce maxima (Vdss): 600V
Corriente continua draino maxima (Id): 12A (Tc=25°C)
Tension gateo-surce maxima (Vgs): ±30V
Tension umbral gateo-surce (Vgs(th)): 4.5V @ 250µA
Resistencia draino-surce en?? (Rds(on)): 550mO max @ Vgs=10V, Id=6A
Potencia de disipacion maxima (Pd): 278W (Tc=25°C)
Carga gateo total (Qg): 50nC @ Vgs=10V
Capacitancia de entrada (Ciss): 2100pF @ Vds=25V
Temperatura de operacion (Tj): -55°C a +150°C
Aplicacion principal: Fuentes conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC, inversores, correccion de factor de potencia (PFC)
Pais de origen: CN (principalmente)
Peso unitario: 1.8g a 2.2g (aprox)
Notas importantes:
• El AOT12N60 está fabricado con un proceso avanzado de alta tensión que ofrece un bajo Rds(on), bajas capacitancias Ciss y Crss, junto con capacidad de avalancha garantizada
• Existe una versión en encapsulado TO-220F aislado con la denominación AOTF12N60, que presenta una potencia de disipación de 50W (frente a los 278W del TO-220 estándar) debido a la mayor resistencia térmica
• Para la versión libre de halógenos, añadir el sufijo "L" al número de pieza: AOT12N60L
• Configuración de pines en TO-220: Pin 1 = Puerta (Gate), Pin 2 = Drenador (Drain), Pin 3 = Fuente (Source)
• Este MOSFET es ideal para aplicaciones offline de alta tensión gracias a su robustez y rendimiento térmico
• La capacidad de avalancha garantizada (100% UIS Tested) lo hace especialmente adecuado para aplicaciones donde se pueden producir sobrecargas inductivas
