Transistor 2N5462 JFET-P 40V 10mA 350mW TO-92

Transistor 2N5462 JFET-P 40V 10mA 350mW TO-92

TR2N5462
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Transistor 2N5462 JFET-P 40V 10mA 350mW TO-92. Equivalentes: 2N5460, 2N5461, MMBF5462 (SMD), 2N5462G (libre de plomo), NTE326. Complementario: 2N5457 (JFET-N)
 

Fabricante: onsemi (ON Semiconductor), Fairchild, Central Semiconductor, Vishay, NXP
Categoría: Transistores de efecto de campo (JFET)
Tipo de producto: JFET de canal P para amplificación de propósito general
Subcategoría: Small Signal JFET
Serie: 2N5460 / 2N5461 / 2N5462
Alias de parte: 2N5462G (versión libre de plomo), MMBF5462 (SMD SOT-23)
Tipo: Silicon P-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) - Modo Depleción
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-226AA, plástico de 3 pines)
Tensión drenador-puerta máxima (Vdg): 40V
Tensión puerta-fuente máxima (Vgs): 40V (inversa)
Corriente de puerta continua máxima (Ig): 10mA
Potencia de disipación máxima (Pd): 350mW (310mW en Central Semiconductor)
Corriente de drenador con puerta en corto (Idss): 4mA @ Vds=15V, Vgs=0V
Tensión de corte puerta-fuente (Vgs(off)): 1.8V máx @ Id=1µA
Capacitancia de entrada (Ciss): 7pF @ Vds=15V
Transconductancia directa (|yfs|): 2000µS mín @ Vds=15V, f=1kHz
Conductancia de salida (|yos|): 75µS @ Vds=15V, f=1kHz
Corriente de fuga puerta (Igss): 5nA máx @ Vgs=20V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +150°C (135°C en algunas versiones)
Aplicación principal: Amplificadores de baja señal y audio, etapas de entrada de alta impedancia, preamplificadores, circuitos de conmutación de bajo ruido
País de origen: US, CN, MY, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)

Notas importantes:
• El 2N5462 es un JFET de canal P de modo depleción, diseñado para aplicaciones de amplificación de bajo nivel con fuentes de señal de alta impedancia
• Pertenece a la familia 2N5460/2N5461/2N5462, diferenciándose principalmente por el rango de Idss:
• 2N5460: Idss = 1.0 - 5.0 mA
• 2N5461: Idss = 2.0 - 9.0 mA
• 2N5462: Idss = 4.0 - 16.0 mA (valor típico 4mA @ 15V)
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Drenador (Drain), Pin 2 = Fuente (Source), Pin 3 = Puerta (Gate). La fuente y el drenador son intercambiables en JFETs
• Existe una versión en montaje superficial bajo la nomenclatura MMBF5462 (SOT-23)
• Estado del producto: Obsoleto (Obsolete) según onsemi, Fairchild y DigiKey, pero sigue disponible en distribuidores como stock remanente
• La versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS se identifica como 2N5462G
• El complementario NPN de canal N para este dispositivo es el 2N5457, que tiene características eléctricas simétricas pero polaridad opuesta
• Este JFET es ideal para aplicaciones que requieren muy bajo ruido y alta impedancia de entrada, como preamplificadores de guitarra, micrófono e instrumentación
• Nota de seguridad: Como con todos los JFET, la puerta debe manejarse con cuidado ya que la corriente de puerta debe limitarse a 10mA máximo para evitar daños permanentes
• Para aplicaciones que requieren mayor corriente de drenador, se recomienda utilizar el 2N5462 con un valor de Idss más alto dentro de la familia, o considerar alternativas modernas como la serie J174/J175/J176 de onsemi

Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
10mA
Polaridad del Transistor
Canal P
Potencia de Trabajo
0,35W (350mW)
Tipo de transistor
FET
Encapsulado
TO-92
Número de patillas
3
Tipo de montaje
Orificio Pasante
Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
40V

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