Fabricante: onsemi (ON Semiconductor), Fairchild
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor NPN de alta tensión
Subcategoría: Small Signal Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N6517TA, 2N6517 (versión estándar)
Tipo: Silicon NPN Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-92-3, TO-226AA, plástico de 3 pines, formato de terminales formados)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 350V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 350V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 6V
Corriente de colector máxima (Ic): 500mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 625mW (Ta=25°C)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1V máx @ Ic=50mA, Ib=5mA
Ganancia de corriente (hFE): 30 a 200 @ Ic=50mA, Vce=10V (mínimo 20 según algunas fuentes)
Frecuencia de transición (ft): 200MHz (40MHz mín según otras especificaciones)
Capacitancia de salida (Cob): 6pF
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 50nA máx @ Vcb=350V
Corriente de fuga emisor-base (Iebo): 50nA máx @ Veb=6V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Conmutación de alta tensión, amplificación de propósito general, drivers de transformadores, circuitos de retroalimentación en fuentes conmutadas, aplicaciones industriales que requieren alta tensión y baja corriente
País de origen: US, CN, MY, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El sufijo "TA" en 2N6517TA indica el formato de embalaje en cinta y carrete (tape & reel) con terminales formados para montaje automático, a diferencia de la versión estándar 2N6517 que suele venir en bulk
• Este transistor está diseñado específicamente para aplicaciones que requieren alta tensión (hasta 350V) con corrientes moderadas, superando ampliamente a transistores de propósito general como el 2N3904 (40V) o BC547 (45V)
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Base, Pin 3 = Colector
• La versión 2N6517CTA es una variante con mayor capacidad: 400V Vceo y 600mA Ic
• La potencia máxima de disipación es de 625mW a 25°C de temperatura ambiente, con un factor de degradación de 5.0mW/°C por encima de esa temperatura
• El complementario PNP sugerido para este transistor es el 2N6520, que ofrece características simétricas en polaridad opuesta
• Equivalentes destacados:
• MPSA42 / MPSA43: Alternativas ampliamente disponibles con Vceo=300V
• 2N6517BU: Mismo componente con embalaje bulk en lugar de tape & reel
• 2N6517CTA: Versión mejorada con mayor tensión (400V) y corriente (600mA)
• Estado del producto: Activo (Active) según onsemi, con stock disponible en distribuidores
• El componente cumple con RoHS y es libre de plomo (Lead Free)
• Aplicaciones típicas:
• Circuitos de conmutación de alta tensión
• Drivers de transformadores y cargas inductivas
• Circuitos de retroalimentación en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Amplificadores de audio de alta tensión
• Etapas de entrada en equipos industriales y de telecomunicaciones
