Transistor MJ11015G PNP Darlington 120V 30A 200W TO-3

Transistor MJ11015G PNP Darlington 120V 30A 200W TO-3

TRMJ11015
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Transistor MJ11015G PNP Darlington 120V 30A 200W 4MHz TO-3. Equivalentes: MJ11015, MJ11033, MJ11033G, MJ11029, BDX66C, NTE2350. Complementario: MJ11016G (NPN).

 

Fabricante: ON Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor Darlington PNP de alta corriente
Subcategoría: Power Darlington Transistor
Serie: MJ11000 Series
Alias de parte: MJ11015G
Tipo: Silicon PNP Darlington Power Transistor
Configuración: Single (Darlington con diodo y resistencia integrados)
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-204AA (TO-3, metal can de 2 pines más carcasa como colector)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -120V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): -120V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): -5V
Corriente de colector máxima (Ic): -30A
Potencia de disipación máxima (Pd): 200W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 4V máx @ Ib=300mA, Ic=30A
Ganancia de corriente mínima (hFE): 1000 @ Ic=20A, Vce=5V
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 1mA máx
Frecuencia de transición (ft): 4MHz
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +200°C
Aplicación principal: Amplificadores de potencia de audio, reguladores de tensión, control de motores, fuentes de alimentación
País de origen: MX (México)
Peso unitario: 4.54g

Notas importantes:

• El MJ11015G es la versión libre de plomo (Pb-Free) y compatible con RoHS del MJ11015 original.
• La "G" al final indica terminación en Estaño/Plata/Cobre (Sn/Ag/Cu).
• Configuración de pines en TO-3: Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Carcasa = Colector.
• La ganancia de corriente es extremadamente alta (hFE >1000) a 20A.
• Requiere un disipador térmico adecuado para disipar hasta 200W.
• El complementario NPN directo es el MJ11016G.
• Aplicaciones típicas: amplificadores de audio de alta potencia, reguladores de tensión serie, control de motores DC, fuentes de alimentación reguladas.
• Estado del producto: Activo (Active) según ON Semiconductor.
• Fecha de introducción: 31 de agosto de 1995.
• El encapsulado TO-3 requiere taladros para montaje con tornillos.
• Para evitar oscilaciones, se recomienda una resistencia de base de 100Ω a 220Ω en serie.
• No está calificado para aplicaciones automotrices (no AEC-Q101).
• Cumple con RoHS y es libre de halógenos (Halogen Free).

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