Transistor IRF510pbf MOSFET-N 100V 5,6A 43W TO-220

Fabricante: Vishay 
Categoría de producto: MOSFET 
Estilo de montaje: Through Hole 
Empaquetado / Estuche: TO-220-3 
Polaridad de transistor: N-Channel 
Número de canales: 1 Channel 
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 100V 
Id: corriente de drenaje continuo: 5.6A 
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 540mOhms 
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V 
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4V 
Qg (carga de compuertas): 8.3nC 
Temperatura operativa mínima: -55ºC 
Temperatura operativa máxima: +175ºC 
Pd (disipación de potencia): 43W 
Modo canal: Enhancement 
Marca: Vishay Semiconductors 
Configuración: Single 
Tiempo de caída: 9.4ns 
Tipo de producto: MOSFETs 
Tiempo de establecimiento: 16ns 
Serie: IRF 
Subcategoría: Transistors 
Tipo de transistor: 1 N-Channel 
Tiempo típico de retraso de apagado: 15ns 
Tiempo de retardo de conexión típico: 6.9ns 
Alias de parte #: IRF510PBF-BE3 
Peso unitario: 2gr