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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 800V
Id: corriente de drenaje continuo: 4A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 1.1Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.1V
Qg (carga de compuertas): 31nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 63W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: CoolMOS
Serie: CoolMOS C3
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 12ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 15ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 72ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 25ns
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Alias de parte #: SP000683152 SPP4N8C3XK SPP04N80C3XKSA1
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 800V
Id: corriente de drenaje continuo: 4A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 1.1Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.1V
Qg (carga de compuertas): 31nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 63W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: CoolMOS
Serie: CoolMOS C3
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 12ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 15ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 72ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 25ns
Altura: 15.65mm
Longitud: 10mm
Anchura: 4.4mm
Alias de parte #: SP000683152 SPP4N8C3XK SPP04N80C3XKSA1
Peso unitario: 2gr