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Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 55V
Id: corriente de drenaje continuo: 75A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 12mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 130nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 200W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: UltraFET
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 25ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 60ns
Serie: HUF75339P3
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 20ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 15ns
Altura: 16.3mm
Longitud: 10.67mm
Anchura: 4.7mm
Alias de parte #: HUF75339P3_NL
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 55V
Id: corriente de drenaje continuo: 75A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 12mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2V
Qg (carga de compuertas): 130nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +175ºC
Pd (disipación de potencia): 200W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: UltraFET
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 25ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 60ns
Serie: HUF75339P3
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 20ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 15ns
Altura: 16.3mm
Longitud: 10.67mm
Anchura: 4.7mm
Alias de parte #: HUF75339P3_NL
Peso unitario: 2gr
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 70A
- Polaridad del Transistor
- Canal N
- Potencia de Trabajo
- 124W
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Tipo de transistor
- MOSFET
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 55V
- Encapsulado
- TO-220
- Número de patillas
- 3