Fabricante: Philips (NXP Semiconductors), STMicroelectronics, Motorola, CDIL
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de RF
Tipo de producto: Transistor NPN de potencia para VHF/UHF
Subcategoría: RF Power Transistor
Serie: -
Alias de parte: 2N3553
Tipo: Silicon NPN Planar Epitaxial Overlay
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-39 (TO-205AD, metal can de 3 pines, colector conectado a la carcasa)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 40V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 65V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 4V
Corriente de colector máxima (Ic): 1A
Corriente de colector pico (Icm): 1A
Potencia de disipación máxima (Pc): 7W (Tc=25°C)
Resistencia térmica unión-caso (Rthj-mb): 25°C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 1V máx @ Ic=250mA, Ib=50mA
Ganancia de corriente (hFE): 10 a 100 @ Ic=125mA, Vce=5V (mínimo 10)
Frecuencia de transición (fT): 500MHz típica
Capacitancia de colector (Cc): 10pF máx @ Vcb=28V
Corriente de fuga colector (Iceo): 100µA máx @ Vce=30V
Rendimiento RF (175MHz, Vce=28V): Potencia de salida 2.5W, Ganancia >10dB, Eficiencia >50%
Rugosidad: Soportar VSWR 3:1 en todas las fases @ 2.5W / 175MHz
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Etapas de potencia VHF (hasta 175MHz), transmisores FM, drivers para UHF, amplificadores de RF para radioaficionados, etapas finales en equipos de comunicación de baja potencia
País de origen: NL (Philips), US, CN, IN (varía según fabricante)
Peso unitario: 1.5g a 2.5g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N3553 es un transistor de RF diseñado específicamente para aplicaciones de transmisión en VHF y UHF, con una frecuencia de transición de 500MHz que lo hace adecuado hasta 400MHz en aplicaciones de driver
• Este dispositivo utiliza tecnología de epitaxia planar overlay, optimizada para altas frecuencias y manejo de potencia en RF
• La potencia máxima de disipación es de 7W a 25°C de temperatura de case (Tc), requiriendo un disipador térmico adecuado para alcanzar este valor
• Según el datasheet de Philips, el rendimiento típico en RF a 175MHz es: 2.5W de potencia de salida con ganancia >10dB y eficiencia >50%
• Configuración de pines en TO-39: Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Pin 3 = Colector (la carcasa metálica está conectada internamente al colector)
• El transistor es robusto y puede soportar condiciones de desadaptación de carga (VSWR 3:1) sin fallar, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de transmisión donde la impedancia de antena puede variar
• Advertencia de seguridad: Este componente contiene óxido de berilio (BeO) en su estructura interna. El producto es seguro mientras el encapsulado no esté dañado. No debe manipularse si está roto, y debe desecharse como residuo especial según normativas locales
• Es un reemplazo directo para el 2N2631 en equipos como el Ten-Tec Argonaut 505
• Existen múltiples fabricantes (Philips, STMicroelectronics, Motorola, CDIL) con especificaciones equivalentes, aunque se recomienda verificar el fabricante específico para aplicaciones críticas
