Fabricante: STMicroelectronics
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia
Tipo de producto: Transistor NPN de alta tensión y conmutación rápida
Subcategoría: Horizontal Deflection / Switching
Serie: BUH10
Alias de parte: BUH1015HI
Tipo: Silicon NPN Power Transistor
Tecnología: Multiepitaxial Mesa con estructura Hollow Emitter
Montaje: Through Hole
Encapsulado: ISOWATT-218 (TO-218 aislado) / TO-3PML
Código de marcado: BUH1015HI
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 1500V
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 700V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 10V (máx)
Corriente de colector máxima (Ic): 14A (continua)
Corriente de colector pico (Icm): 18A
Corriente de base máxima (Ib): 8A (continua)
Potencia de disipación máxima (Pc): 70W (Tc=25°C)
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): No especificada en fuentes principales
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): No especificada en fuentes principales
Ganancia de corriente (hFE): 7 mínimo (DC current gain)
Frecuencia de transición (ft): Muy alta velocidad de conmutación
Características especiales:
Encapsulado completamente aislado (ISOWATT) - no requiere aislante térmico
Tecnología Hollow Emitter para mejorar velocidad de conmutación
Apto para aplicaciones de alta frecuencia y alto voltaje
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +150°C
Aplicación principal: Circuitos de deflexión horizontal en televisores y monitores CRT
País de origen: CN (fabricación actual) / JP (diseño)
Peso unitario: 6.0g a 7.0g (aprox)
Notas importantes:
• El BUH1015HI es un transistor de potencia NPN de alta tensión diseñado específicamente para circuitos de deflexión horizontal en televisores y monitores CRT. Utiliza tecnología Multiepitaxial Mesa con estructura Hollow Emitter para lograr altas velocidades de conmutación .
• La principal diferencia entre el BUH1015HI y el BUH1015 estándar es el encapsulado: el HI usa ISOWATT-218 (TO-218 completamente aislado), mientras que el BUH1015 estándar usa TO-3PN (no aislado, requiere mica o almohadilla térmica) .
• Configuración de pines (vista frontal con la pestaña hacia arriba) :
• Pin 1 = Base
• Pin 2 = Colector
• Pin 3 = Emisor
• Reemplazos y equivalentes:
• BUH1015 - Mismo chip, encapsulado TO-3PN no aislado
• 2SC5480 / 2SC5584 - Equivalentes modernos de alta tensión
• BU2532AL - Alternativa de mayor potencia sugerida en aplicaciones críticas
• 2SC5936 - Versión TO-3P de alta tensión (similar, 1500V/9A)
• Aplicaciones típicas :
• Etapas de salida de deflexión horizontal en televisores CRT
• Monitores de computadora (alta resolución)
• Fuentes conmutadas de alta tensión
• Aplicaciones de conmutación de alta velocidad
• Circuitos flyback
• Características destacadas :
• STMicroelectronics Preferred Salestype (componente recomendado por el fabricante)
• Muy alta velocidad de conmutación (Very High Switching Speed)
• Capacidad de alta tensión: Vcbo=1500V, Vceo=700V
• Encapsulado ISOWATT aislado eléctricamente - facilita el montaje
• Diseñado para larga vida útil en aplicaciones de TV/monitores
• Estado del producto: Según múltiples fuentes, STMicroelectronics ya no fabrica este componente (Discontinued/Obsolete) , aunque sigue disponible en stock de distribuidores y fabricantes alternativos como Savantic, Inchange y otras compañías asiáticas .
• Precaución: La ganancia de corriente es baja (hFE=típicamente 7-10), por lo que se requiere una corriente de base adecuada para saturar el transistor completamente en aplicaciones de conmutación.
• Consideraciones térmicas: Aunque el encapsulado ISOWATT-218 está aislado eléctricamente, se recomienda el uso de un disipador térmico adecuado, ya que disipa hasta 70W en condiciones máximas.
