Fabricante: Fairchild Semiconductor (onsemi), Central Semiconductor, Allegro MicroSystems, Rochester Electronics
Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Tipo de producto: Transistor PNP de propósito general
Subcategoría: Small Signal Transistor
Serie: Process 68
Alias de parte: 2N3702-18F (variante de plegado de terminales)
Tipo: Silicon PNP Epitaxial Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92 (TO-226AA, plástico de 3 pines)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 25V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 40V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 5V
Corriente de colector máxima (Ic): 500mA
Potencia de disipación máxima (Pc): 625mW (derate 5.0mW/°C)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 250mV máx @ Ic=50mA, Ib=5mA
Ganancia de corriente (hFE): 60 a 300 @ Ic=50mA, Vce=5V
Frecuencia de transición (ft): 100MHz
Corriente de fuga colector (Icbo): 100nA máx @ Vcb=20V
Corriente de fuga emisor (Iebo): 100nA máx @ Veb=3V
Capacitancia de salida (Cob): 12pF @ Vcb=10V
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -55°C a +150°C
Aplicación principal: Amplificación de propósito general, conmutación de baja potencia, preamplificadores de audio, etapas de driver, aplicaciones RF de baja potencia, etapas de entrada en amplificadores
País de origen: US, CN, MY, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 0.2g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N3702 es un transistor PNP de propósito general fabricado con el proceso "Process 68" de Fairchild, optimizado para aplicaciones de amplificación y conmutación con corrientes de colector de hasta 300mA
• Configuración de pines en TO-92 (vista frontal con la cara plana hacia ti, patillas hacia abajo): Pin 1 = Emisor, Pin 2 = Colector, Pin 3 = Base
• La potencia máxima de disipación es de 625mW a 25°C de temperatura ambiente, con un factor de degradación de 5.0mW/°C por encima de esa temperatura
• El complementario NPN de este transistor es el 2N3704, con características eléctricas similares pero polaridad opuesta
• Existe una variante denominada 2N3702-18F con los terminales formados para montaje en posición específica
• Aunque la corriente máxima especificada es de 500mA, el fabricante recomienda operar a corrientes de colector de hasta 300mA para aplicaciones continuas
• Este transistor es adecuado para su uso en configuraciones Darlington, amplificadores diferenciales y como interruptor de baja potencia en circuitos digitales
• La frecuencia de transición de 100MHz lo hace adecuado para aplicaciones de audio de alta fidelidad y circuitos RF de baja frecuencia
• Actualmente se encuentra en producción activa por parte de Central Semiconductor y Rochester Electronics, aunque Fairchild (ahora onsemi) lo listaba como obsoleto en sus últimas revisiones
- Id (Corriente Directa Ids/Ice/etc)
- 500mA
- Polaridad del Transistor
- PNP
- Potencia de Trabajo
- 0,625W (625mW)
- Tipo de transistor
- Bipolar
- Encapsulado
- TO-92
- Frecuencia de Trabajo
- 100MHz
- Número de patillas
- 3
- Tipo de montaje
- Orificio Pasante
- Vd (Tensión Directa Vds/Vce/etc)
- 25V
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