Fabricante: Microsemi (Microchip), Motorola, STMicroelectronics, Semelab, Central Semiconductor
Categoría: Transistores bipolares (BJT) de potencia media
Tipo de producto: Transistor PNP de potencia
Subcategoría: Power Switching / Medium Power Amplifier
Serie: MIL-PRF-19500/441 (versiones militares JAN, JANTX, JANTXV)
Alias de parte: JAN2N3740, JANTX2N3740, JANTXV2N3740
Tipo: Silicon PNP Double Diffused Planar
Configuración: Single
Tecnología: Silicio
Montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-66 (TO-213AA, metal can de 2 pines más carcasa como colector)
Tensión colector-emisor máxima (Vceo): 60V
Tensión colector-base máxima (Vcbo): 60V
Tensión emisor-base máxima (Vebo): 7V
Corriente de colector máxima (Ic): 4A (continua), 10A (pico)
Corriente de base máxima (Ib): 2A
Potencia de disipación máxima (Pc): 25W (Tc=25°C), derate lineal 143mW/°C
Resistencia térmica unión-caso (Rthjc): 7°C/W máx
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): 0.6V máx @ Ic=1A, Ib=125mA; 0.4V típico @ Ic=250mA, Ib=25mA
Tensión base-emisor en conducción (Vbe(on)): 1.0V máx @ Ic=250mA, Vce=1V
Ganancia de corriente (hFE): 30 a 100 @ Ic=250mA, Vce=1V (mínimo 30, máximo 120)
Frecuencia de transición (ft): 3MHz mín (típico 4MHz)
Capacitancia de salida (Cobo): 100pF máx @ Vcb=10V
Corriente de fuga colector (Iceo): 10µA máx @ Vce=40V
Corriente de fuga colector-base (Icbo): 100nA máx @ Vcb=60V
Tiempo de encendido (ton): 1.0µs máx @ Ic=1A, Ib=100mA
Tiempo de apagado (toff): 4.0µs máx @ Ic=1A, Ib=100mA
Temperatura de operación (Tj, Tstg): -65°C a +200°C
Aplicación principal: Drivers, conmutación de potencia media, amplificadores de potencia, sustituto directo de transistores de germanio de potencia media, aplicaciones militares y aeroespaciales
País de origen: US, PH (varía según fabricante)
Peso unitario: 5g a 8g (aprox)
Notas importantes:
• El 2N3740 es un transistor PNP de potencia media encapsulado en TO-66, diseñado específicamente como sustituto directo de los antiguos transistores de germanio de potencia media
• Está calificado según la especificación militar MIL-PRF-19500/441, con versiones JAN, JANTX y JANTXV disponibles para aplicaciones de alta confiabilidad
• Configuración de pines en TO-66: Pin 1 = Base, Pin 2 = Emisor, Carcasa = Colector (conectado internamente)
• La potencia máxima de disipación es de 25W a 25°C de temperatura de case (Tc), requiriendo un disipador térmico adecuado para alcanzar este valor
• La versión 2N3741 ofrece una mayor tensión colector-emisor (80V) manteniendo las demás características
• El complementario NPN es el 2N3766, formando un par adecuado para aplicaciones push-pull y amplificadores de audio
• Este transistor presenta una baja tensión de saturación (0.6V máx a 1A) y una excelente área de operación segura (SOA), lo que lo hace robusto frente a sobrecargas
• Es ideal para aplicaciones de conmutación gracias a sus tiempos de encendido/apagado rápidos (1µs / 4µs)
• La tecnología de difusión planar doble (Double Diffused Planar) proporciona excelente linealidad de ganancia y buena respuesta en frecuencia para un transistor de potencia
• Aunque es un diseño clásico, sigue en producción activa por parte de varios fabricantes (Microchip, Semelab, Central Semiconductor) debido a su uso en aplicaciones militares y de reposición
