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Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión separación drenador-fuente: 500V
Id - Corriente de drenaje continuo: 45A
Rds encendido - Resistencia drenaje-fuente: 120mO
Vgs - Tensión compuerta-fuente: -30V, +30V
Vgs th - Tensión umbral compuerta-fuente: 5V
Qg - Carga de compuertas: 105nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +150°C
Pd - Disipación de potencia: 625W
Modo canal: Enhancement
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Altura: 20.82mm
Longitud: 15.87mm
Anchura: 4.82mm
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: FDH45N50F
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Alias de parte #: FDH45N50F_F133
Peso unitario: 6gr
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Silicio
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-247-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión separación drenador-fuente: 500V
Id - Corriente de drenaje continuo: 45A
Rds encendido - Resistencia drenaje-fuente: 120mO
Vgs - Tensión compuerta-fuente: -30V, +30V
Vgs th - Tensión umbral compuerta-fuente: 5V
Qg - Carga de compuertas: 105nC
Temperatura operativa mínima: -55°C
Temperatura operativa máxima: +150°C
Pd - Disipación de potencia: 625W
Modo canal: Enhancement
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Altura: 20.82mm
Longitud: 15.87mm
Anchura: 4.82mm
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: FDH45N50F
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Alias de parte #: FDH45N50F_F133
Peso unitario: 6gr