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Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 50V
Id: corriente de drenaje continuo: 15A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 100mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4V
Qg (carga de compuertas): 12nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 40W
Modo canal: Enhancement
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 45ns
Serie: IRFZ
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 20ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 15ns
Alias de parte #: IRFZ20PBF-BE3
Peso unitario: 2gr
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 50V
Id: corriente de drenaje continuo: 15A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 100mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): -20V, +20V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4V
Qg (carga de compuertas): 12nC
Temperatura operativa mínima: -55ºC
Temperatura operativa máxima: +150ºC
Pd (disipación de potencia): 40W
Modo canal: Enhancement
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 45ns
Serie: IRFZ
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 20ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 15ns
Alias de parte #: IRFZ20PBF-BE3
Peso unitario: 2gr